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参数资料
| 型号： | STTH8S06D |
| 厂商： | STMICROELECTRONICS |
| 元件分类： | 整流器 |
| 英文描述： | 8 A, 600 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-220AC |
| 封装： | PLASTIC PACKAGE-2 |
| 文件页数： | 2/8页 |
| 文件大小： | 101K |
| 代理商： | STTH8S06D |
Characteristics
STTH8S06
2/8
1
Characteristics
To evaluate the maximum conduction losses use the following equation:
P = 1.20 x IF(AV) + 0.087 IF
2
(RMS)
Table 2.
Absolute ratings (limiting values)
Symbol
Parameter
Value
Unit
VRRM
Repetitive peak reverse voltage
600
V
IF(AV)
Average forward current
8
A
IFSM
Surge non repetitive forward current
tp = 10 ms
60
A
Tstg
Storage temperature range
-65 to + 175
°C
Tj
Maximum operating junction temperature
175
°C
Table 3.
Thermal parameter
Symbol
Parameter
Maximum
Unit
Rth(j-c)
Junction to case
TO-220AC
3.0
°C/W
TO220FPAC
5.5
Table 4.
Static electrical characteristics
Symbol
Parameter
Test conditions
Min.
Typ
Max.
Unit
IR
Reverse leakage current
Tj = 25 °C
VR = 600 V
20
A
Tj= 125 °C
25
200
VF
Forward voltage drop
Tj = 25 °C
IF = 8 A
3.4
V
Tj = 125 °C
1.5
1.9
Table 5.
Dynamic electrical characteristics
Symbol
Parameter
Test conditions
Min.
Typ
Max.
Unit
trr
Reverse recovery time
IF = 1 A, dIF/dt = - 200 A/s, VR = 30 V
12
18
ns
IRM
Reverse current
Tj = 25 °C
IF = 8 A, dIF/dt = - 200 A/s,
VR = 200 V
1.6
2.2
A
Sfactor
Softness factor
1
-
Qrr
Reverse recovery charges
17
nC
IRM
Reverse current
Tj = 125 °C
IF = 8 A, dIF/dt = - 200 A/s,
VR = 200 V
4.4
6.0
A
Sfactor
Softness factor
0.3
-
Qrr
Reverse recovery charges
90
nC
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| STTH8S06FP | 8 A, 600 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-220AC |
| SUM100UFSMS | 0.4 A, SILICON, SIGNAL DIODE |
| SUM100UF | 0.4 A, SILICON, SIGNAL DIODE |
| SUM25FTX | 0.5 A, SILICON, SIGNAL DIODE |
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参数描述 |
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