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参数资料
| 型号： | STTH8S06FP |
| 厂商： | STMICROELECTRONICS |
| 元件分类： | 整流器 |
| 英文描述： | 8 A, 600 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-220AC |
| 封装： | PLASTIC, TO-220FPAC, 2 PIN |
| 文件页数： | 2/8页 |
| 文件大小： | 101K |
| 代理商： | STTH8S06FP |
Characteristics
STTH8S06
2/8
1
Characteristics
To evaluate the maximum conduction losses use the following equation:
P = 1.20 x IF(AV) + 0.087 IF
2
(RMS)
Table 2.
Absolute ratings (limiting values)
Symbol
Parameter
Value
Unit
VRRM
Repetitive peak reverse voltage
600
V
IF(AV)
Average forward current
8
A
IFSM
Surge non repetitive forward current
tp = 10 ms
60
A
Tstg
Storage temperature range
-65 to + 175
°C
Tj
Maximum operating junction temperature
175
°C
Table 3.
Thermal parameter
Symbol
Parameter
Maximum
Unit
Rth(j-c)
Junction to case
TO-220AC
3.0
°C/W
TO220FPAC
5.5
Table 4.
Static electrical characteristics
Symbol
Parameter
Test conditions
Min.
Typ
Max.
Unit
IR
Reverse leakage current
Tj = 25 °C
VR = 600 V
20
A
Tj= 125 °C
25
200
VF
Forward voltage drop
Tj = 25 °C
IF = 8 A
3.4
V
Tj = 125 °C
1.5
1.9
Table 5.
Dynamic electrical characteristics
Symbol
Parameter
Test conditions
Min.
Typ
Max.
Unit
trr
Reverse recovery time
IF = 1 A, dIF/dt = - 200 A/s, VR = 30 V
12
18
ns
IRM
Reverse current
Tj = 25 °C
IF = 8 A, dIF/dt = - 200 A/s,
VR = 200 V
1.6
2.2
A
Sfactor
Softness factor
1
-
Qrr
Reverse recovery charges
17
nC
IRM
Reverse current
Tj = 125 °C
IF = 8 A, dIF/dt = - 200 A/s,
VR = 200 V
4.4
6.0
A
Sfactor
Softness factor
0.3
-
Qrr
Reverse recovery charges
90
nC
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| SUM100UFSMS | 0.4 A, SILICON, SIGNAL DIODE |
| SUM100UF | 0.4 A, SILICON, SIGNAL DIODE |
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| SUM30FSMSS | 0.5 A, SILICON, SIGNAL DIODE |
| SUM30FSMSTX | 0.5 A, SILICON, SIGNAL DIODE |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| STTH8S12D | 功能描述:DIODE GEN PURP 1.2KV 8A TO220AC 制造商:stmicroelectronics 系列:- 包装:管件 零件状态:有效 二极管类型:标准 电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:1200V（1.2kV） 电流 - 平均整流（Io）:8A 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:2.7V @ 8A 速度:快速恢复 = 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:45ns 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:5μA @ 1200V 不同?Vr，F 时的电容:- 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-2 供应商器件封装:TO-220AC 工作温度 - 结:175°C（最大） 标准包装:50 |
| STTH8ST06DI | 功能描述:DIODE GEN PURP 600V 8A TO220AC 制造商:stmicroelectronics 系列:- 包装:管件 零件状态:有效 二极管类型:标准 电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:600V 电流 - 平均整流（Io）:8A 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:3.4V @ 8A 速度:快速恢复 = 200mA（Io） 反向恢复时间（trr）:17ns 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:6μA @ 600V 不同?Vr，F 时的电容:- 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-2 绝缘，TO-220AC 供应商器件封装:TO-220AC ins 工作温度 - 结:-40°C ~ 175°C 标准包装:50 |
| STTH8T06DI | 功能描述:二极管 - 通用，功率，开关 600V Tandem X-Fast 8A 600V 15ns 2.05Vf RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 产品:Switching Diodes 峰值反向电压:600 V 正向连续电流:200 A 最大浪涌电流:800 A 配置: 恢复时间:2000 ns 正向电压下降:1.25 V 最大反向漏泄电流:300 uA 最大功率耗散: 工作温度范围: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:ISOTOP 封装:Tube |
| STTH9012TV | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全称:STMicroelectronics 功能描述:Ultrafast recovery - 1200 V diode |
| STTH9012TV1 | 功能描述:整流器 high voltage diode RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 产品:Standard Recovery Rectifiers 配置: 反向电压:100 V 正向电压下降: 恢复时间:1.2 us 正向连续电流:2 A 最大浪涌电流:35 A 反向电流 IR:5 uA 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-221AC 封装:Reel |
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