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参数资料
| 型号： | SUD23N06-31-GE3 |
| 厂商： | Vishay Siliconix |
| 文件页数： | 1/9页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 60V 9.1A TO-252 |
| 产品目录绘图： | TO-252 Mosfet Package |
| 标准包装： | 1 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 60V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 21.4A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 31 毫欧 @ 15A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 3V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 17nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 670pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 31.25W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 供应商设备封装： | TO-252，（D-Pak） |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1663 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | SUD23N06-31-GE3DKR |
SUD23N06-31
Vishay Siliconix
N-Channel 60 V (D-S), MOSFET
PRODUCT SUMMARY
FEATURES
V DS (V)
60
R DS(on) ( ? )
0.031 at V GS = 10 V
0.045 at V GS = 4.5 V
I D (A) a
9.1
7.6
Q g (Typ.)
6.5 nC
? Halogen-free According to IEC 61249-2-21
Definition
? TrenchFET ? Power MOSFET
? 100 % R g and UIS Tested
? Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC
APPLICATIONS
TO-252
Drain Connected to Ta b
? DC/DC Converters
G
D
G
D
S
Top V ie w
Orderin g Information: SUD23 N 06-31-GE3 (Lead (P b )-free and Halogen-free)
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T A = 25 °C, unless otherwise noted)
S
N-Channel MOSFET
Parameter
Drain-Source Voltage
Gate-Source Voltage
T C = 25 °C
Symbol
V DS
V GS
Limit
60
± 20
21.4
Unit
V
Continuous Drain Current (T J = 150 °C)
T C = 70 °C
T A = 25 °C
I D
17.1
9.1 a
Pulsed Drain Current
Continuous Source-Drain Diode Current
Single Pulse Avalanche Current
Avalanche Energy
T A = 70 °C
T C = 25 °C
T A = 25 °C
L = 0.1 mH
I DM
I S
I AS
E AS
7.6 a
50
20.8
3.8 a
20
20
A
mJ
T C = 25 °C
31.25
Maximum Power Dissipation
T C = 70 °C
T A = 25 °C
P D
20
5.7 a
W
T A = 70 °C
3.6 a
Operating Junction and Storage Temperature Range
T J , T stg
- 55 to 150
°C
THERMAL RESISTANCE RATINGS
Parameter
Symbol
Typical
Maximum
Unit
Maximum Junction-to-Ambient
Maximum Junction-to-Case
a
t ? 10 s
Steady State
R thJA
R thJC
18
3.2
22
4.0
°C/W
Notes:
a. Surface mounted on 1" x 1" FR4 board, t ? 10 s.
Document Number: 68857
S11-0181-Rev. B, 07-Feb-11
www.vishay.com
1
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PDF描述 |
|---|---|
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| SUD23N06-31L | 功能描述:MOSFET 60V 23A 100W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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| SUD23N06-31L-T4-E3 | 功能描述:MOSFET N-CH D-S 60V TO252 RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:TrenchFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件 |
| SUD23N06-31-T4-GE3 | 功能描述:MOSFET N-CH D-S 60V TO252 RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:TrenchFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件 |
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