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参数资料
| 型号： | SUD23N06-31-GE3 |
| 厂商： | Vishay Siliconix |
| 文件页数： | 5/9页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 60V 9.1A TO-252 |
| 产品目录绘图： | TO-252 Mosfet Package |
| 标准包装： | 1 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 60V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 21.4A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 31 毫欧 @ 15A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 3V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 17nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 670pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 31.25W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 供应商设备封装： | TO-252，（D-Pak） |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1663 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | SUD23N06-31-GE3DKR |
SUD23N06-31
Vishay Siliconix
TYPICAL CHARACTERISTICS (25 °C, unless otherwise noted)
25
20
15
10
5
0
0
25
50
75
100
125
150
T C - Case Temperat u re (°C)
Current Derating*, Junction-to-Case
40
3.0
2.5
30
2.0
20
1.5
1.0
10
0.5
0
0.0
0
25
50
75
100
125
150
0
25
50
75
100
125
150
T C - Case Temperat u re (°C)
Power, Junction-to-Case
T A - Am b ient Temperat u re (°C)
Power, Junction-to-Ambient
* The power dissipation P D is based on T J(max) = 150 °C, using junction-to-case thermal resistance, and is more useful in settling the upper
dissipation limit for cases where additional heatsinking is used. It is used to determine the current rating, when this rating falls below the package
limit.
Document Number: 68857
S11-0181-Rev. B, 07-Feb-11
www.vishay.com
5
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PDF描述 |
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参数描述 |
|---|---|
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