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参数资料
| 型号： | SUD25N15-52-E3 |
| 厂商： | Vishay Siliconix |
| 文件页数： | 3/7页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH D-S 150V TO252 |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | TrenchFET® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 150V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 25A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 52 毫欧 @ 5A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 40nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 1725pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 3W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 供应商设备封装： | TO-252，（D-Pak） |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | SUD25N15-52-E3DKR |
SUD25N15-52
Vishay Siliconix
TYPICAL CHARACTERISTICS 25 °C, unless otherwise noted
50
40
30
20
V GS = 10 V thru 7 V
6V
50
40
30
20
T C = 125 °C
10
5V
10
25 °C
- 55 °C
0
4V
0
0
2
4
6
8
10
0
1
2
3
4
5
6
7
60
V DS - Drain-to-Source Voltage (V)
Output Characteristics
0.10
V GS - Gate-to-So u rce V oltage ( V )
Transfer Characteristics
50
T C = - 55 °C
25 °C
0.08
40
30
125 °C
0.06
V GS = 6 V
20
0.04
V GS = 10 V
10
0
0.02
0.00
0
10
20
30
40
50
0
10
20
30
40
50
2500
I D - Drain C u rrent (A)
Transconductance
20
I D - Drain Current (A)
On-Resistance vs. Drain Current
2000
1500
1000
500
0
C rss
C iss
C oss
16
12
8
4
0
V DS = 75 V
I D = 25 A
0
30
60
90
120
150
0
10
20
30
40
50
60
V DS - Drain-to-Source Voltage (V)
Capacitance
Document Number: 71768
S09-1501-Rev. D, 10-Aug-09
Q g - Total Gate Charge (nC)
Gate Charge
www.vishay.com
3
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参数描述 |
|---|---|
| SUD25N15-52-E3 | 制造商:Vishay Siliconix 功能描述:MOSFET |
| SUD25N15-52-E3/BKN | 制造商:Vishay Siliconix 功能描述:N-Channel 150-V (D-S) 175C DEG MOSFET |
| SUD25N15-52-T4-E3 | 功能描述:MOSFET N-CH D-S 150V TO252 RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:TrenchFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件 |
| SUD30N03-30 | 功能描述:MOSFET 30V 30A 50W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| SUD30N03-30 | 制造商:Vishay Siliconix 功能描述:MOSFET N D-PAK |
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