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参数资料
| 型号： | SUF30GE3 |
| 厂商： | VISHAY SEMICONDUCTORS |
| 元件分类： | 整流器 |
| 英文描述： | 3 A, 400 V, SILICON, RECTIFIER DIODE |
| 封装： | LEAD FREE, PLASTIC, CASE P600, 2 PIN |
| 文件页数： | 3/5页 |
| 文件大小： | 251K |
| 代理商： | SUF30GE3 |
SUF30G & SUF30J
Document Number 88754
22-Jul-05
Vishay General Semiconductor
www.vishay.com
3
Ratings and Characteristics Curves
(TA = 25 °C unless otherwise noted)
Figure 1. Forward Current Derating Curve
Figure 2. Maximum Non-Repetitive Peak Forward Surge Current
Figure 3. Typical Instantaneous Forward Characteristics
Ambient Temperature ( °C)
A
v
erage
For
w
ard
Rectified
C
u
rrent
(A)
20
40
60
80
100
120
140
160
0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
Resistiveor
Inductive Load
0.78 x 0.78 x 0.04"
(20 x 20x1mm)
Copper Plate
0.200" (5mm)
Lead Length
Number of Cycles at 60 HZ
Peak
Forward
Surge
Current
(A)
1
10
100
1
10
100
TA =60 °C
8.3ms Single Half Sine-Wave
0.01
0.1
1
10
100
0.2
0.4
0.6
0.8
1
1.2
1.4
1.6
1.8
2
Instantaneo
u
s
F
o
rw
ard
C
u
rrent
(A)
Instantaneous Forward Voltage (V)
Tj = 150 °C
Tj = 125 °C
Tj = 25 °C
Tj = 100 °C
SUF30G
Figure 4. Typical Reverse Leakage Characteristics
Figure 5. Typical Instantaneous Forward Characteristics
Figure 6. Typical Reverse Leakage Characteristics
0.01
0.1
1
10
100
1000
020
40
60
80100
Instantaneo
u
s
Re
v
erse
Leakage
C
u
rrent
(
A)
Percent of Peak Reverse Voltage (%)
Tj = 150 °C
Tj = 100 °C
Tj = 125 °C
Tj = 25 °C
SUF30G
0.01
0.1
1
10
100
0.2
0.4
0.6
0.8
11.2
1.4
1.6
1.8
Instantaneo
u
s
F
o
rw
ard
C
u
rrent
(A)
Instantaneous Forward Voltage (V)
Tj = 150 °C
Tj = 25 °C
Tj = 100 °C
Tj = 125 °C
SUF30J
0.01
0.1
1
10
100
1000
020
40
60
80100
Instantaneo
u
s
Re
v
erse
Leakage
C
u
rrent
(
A)
Percent of Peak Reverse Voltage (%)
Tj = 150 °C
Tj = 100 °C
Tj = 125 °C
Tj = 25 °C
SUF30J
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