供应BSM400GA120DN2 IGBT模块
品牌:Infineon /EUPEC
型号:BSM400GA120DN2
电源电压:1200（V）
饱和压降:2.5 V
封装:IGBT2 Standard技术62MM封装
常备现货,欢迎来电洽淡!
深圳市亨力拓电子有限公司货源电话：0755-83293082 阮先生
极－栅极寄生电容的密勒效应影响，能引起意外的电压尖峰损害，所以设计时应让栅极电路的阻抗足够低以尽量消除其负面影响。BSM400GA120DN2栅极串联电阻和驱动电路内阻抗对IGBT的开通过程及驱动脉冲的波形都有很大影响。所以设计时应综合考虑。BSM400GA120DN2应采用慢降栅压技术来控制故障电流的下降速率，从而抑制器件的dv/dt和uce的峰值，达到短路保护的目的。BSM400GA120DN2在工作电流较大的情况下，为了减小关断过电压，应尽量减小主电路的布线电感，吸收电容器应采用低感型。