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以下是，SUD06N10-225L MOS场效应管06N10-225L TO-252全新现货，品牌:Vishay 型号:SUD06N10-225L 类别:贴片 结构:平面型 封装形式:TO-252 材料:硅 极性:其他 电流容量:大功率 封装材料:塑料封装 ，请点击“询价”
-SUD06N10-225L MOS场效应管06N10-225L TO-252全新现货 品牌:Vishay 型号:SUD06N10-225L 类别:贴片 结构:平面型 封装形式:TO-252 材料:硅 极性:其他 电流容量:大功率 封装材料:塑料封装-买卖IC网
SUD06N10-225L MOS场效应管06N10-225L TO-252全新现货
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，SUD06N10-225L MOS场效应管06N10-225L TO-252全新现货

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  • 所 在 地： 广东 深圳市 福田区
  • 发布日期： 2018年06月28日
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  • 地址：深圳市福田区深南中路国利大厦B座29楼2938
品牌Vishay型号SUD06N10-225L
类别贴片结构平面型
封装形式TO-252材料硅
极性其他电流容量大功率
封装材料塑料封装  

制造商零件编号：SUD06N10-225L
描述：（HST）MOSFET N-CH 100V 6.5A DPAK
对无铅要求的达标情况/对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况:无铅/符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级（MSL）:1（无限）
详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 6.5A（Tc） 1.25W（Ta），20W（Tc） TO-252，（D-Pak）

 类别：分立半导体产品晶体管 - FET，MOSFET - 单
制造商：Vishay Siliconix
系列：TrenchFET
包装 ：带卷（TR） 
零件状态：在售
FET 类型：N 沟道
技术：MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）：100V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：6.5A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：3V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）4nC @ 5VVgs（最大值）：±20V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）：240pF @ 25VFET 
功能:-
功率耗散（最大值）:1.25W（Ta），20W（Tc）
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）:200 毫欧 @ 3A，10V
工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型:表面贴装
供应商器件封装:TO-252，（D-Pak）
封装/外壳:TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63

产品供应商：深圳市恒胜泰科技有限公司


优势库存：

S031AVC084
TPS2216
NE1617A
54995FP
MAX3243ECAI
MAX1772EEI
20LD/SSOP
AS1717D
UCC5638FQP
US3018CW
TPA6010
MB1501H
P13L301DAE
24LC512
ISD2560SI
BCM3300KTB
IDTQS74FCT2827ATQ
CY74FCT541CTQC
IDT74FCT807BTQI
IDTQS3VH2862Q
IDT74FCT245ATQ
IDT74FCT543DTQ
DS1321S
IDT74FCT543CTQ
HC589A
IDTQS3126S
IDTQS74FCT2821CTQ

如需详细请联系：
联系人：林先生/林小姐
QQ: 657030450/977945704
手机：15711991717/15889559699
电话：0755-82521107
传真：0755-23486934
邮箱：linfusheng1028@126.com
公司主页：http://www.hst-dz.com/
阿里巴巴：https://hstkj98.1688.com/
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