参数资料
| 型号： | SZMMBZ33VALT3G |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 2/7页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | TVS ZENER 40W 33V SOT23-4 |
| 标准包装： | 10,000 |
| 电压 - 反向隔离（标准值）： | 26V |
| 电压 - 击穿： | 31.35V |
| 功率（瓦特）： | 40W |
| 电极标记： | 2 通道阵列 - 单向 |
| 安装类型： | * |
| 封装/外壳： | * |
| 供应商设备封装： | * |
| 包装： | * |
MMBZxxxALT1G Series, SZMMBZxxxALT1G Series
MAXIMUM RATINGS
Rating
Symbol
Value
Unit
Peak Power Dissipation @ 1.0 ms (Note 1)
@ T L ? 25 ? C
MMBZ5V6ALT1G thru MMBZ9V1ALT1G
MMBZ12VALT1G thru MMBZ33VALT1G
P pk
24
40
W
Total Power Dissipation on FR ? 5 Board (Note 2)
@ T A = 25 ? C
Derate above 25 ? C
Thermal Resistance Junction ? to ? Ambient
Total Power Dissipation on Alumina Substrate (Note 3)
@ T A = 25 ? C
Derate above 25 ? C
Thermal Resistance Junction ? to ? Ambient
Junction and Storage Temperature Range
Lead Solder Temperature ? Maximum (10 Second Duration)
? P D ?
R q JA
? P D ?
R q JA
T J , T stg
T L
225
1.8
556
300
2.4
417
? 55 to +150
260
mW ?
mW/ ? C
? C/W
? mW
mW/ ? C
? C/W
? C
? C
Stresses exceeding Maximum Ratings may damage the device. Maximum Ratings are stress ratings only. Functional operation above the
Recommended Operating Conditions is not implied. Extended exposure to stresses above the Recommended Operating Conditions may affect
device reliability.
1. Non ? repetitive current pulse per Figure 6 and derate above T A = 25 ? C per Figure 7.
2. FR ? 5 = 1.0 x 0.75 x 0.62 in.
3. Alumina = 0.4 x 0.3 x 0.024 in, 99.5% alumina.
*Other voltages may be available upon request.
ORDERING INFORMATION
Device
MMBZ5V6ALT1G
SZMMBZ5V6ALT1G
MMBZ5V6ALT3G
MMBZ6VxALT1G
SZMMBZ6VxALT1G
MMBZ6VxALT3G
MMBZ9V1ALT1G
MMBZ9V1ALT13G
MMBZxxVALT1G
SZMMBZxxVALT1G
MMBZxxVALT3G
SZMMBZxxVALT3G
Package
SOT ? 23
(Pb ? Free)
SOT ? 23
(Pb ? Free)
SOT ? 23
(Pb ? Free)
SOT ? 23
(Pb ? Free)
SOT ? 23
(Pb ? Free)
SOT ? 23
(Pb ? Free)
SOT ? 23
(Pb ? Free)
SOT ? 23
(Pb ? Free)
SOT ? 23
(Pb ? Free)
SOT ? 23
(Pb ? Free)
SOT ? 23
(Pb ? Free)
SOT ? 23
(Pb ? Free)
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3,000 / Tape & Reel
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?For information on tape and reel specifications, including part orientation and tape sizes, please refer to our Tape and Reel Packaging
Specifications Brochure, BRD8011/D.
http://onsemi.com
2
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 68464-240 | BERGSTIK II .100" DR STRAIGHT |
| SZMMBZ27VCLT3G | TVS ZENER 40W 27V DUAL CC SOT23 |
| MC33204VPG | IC OPAMP QUAD R-R LO VOLT 14DIP |
| N3429-2303RB | CONN HEADER 26POS STR GOLD T/H |
| DIN-096CPC-SR1-KR | CONN DIN PLUG 96POS R/A GOLD |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| SZMMBZ33VAWT1G | 功能描述:稳压二极管 ZEN DUAL 33V RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齐纳电压:12 V 电压容差:5 % 电压温度系数:0.075 % / K 齐纳电流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄电流:3 uA 最大齐纳阻抗:7 Ohms 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-214AC 封装:Reel |
| SZMMBZ4252T1G | 功能描述:稳压二极管 ZEN DUAL .225W 27V RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齐纳电压:12 V 电压容差:5 % 电压温度系数:0.075 % / K 齐纳电流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄电流:3 uA 最大齐纳阻抗:7 Ohms 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-214AC 封装:Reel |
| SZMMBZ4252T3G | 功能描述:稳压二极管 ZEN DUAL .225W 27V RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齐纳电压:12 V 电压容差:5 % 电压温度系数:0.075 % / K 齐纳电流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄电流:3 uA 最大齐纳阻抗:7 Ohms 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-214AC 封装:Reel |
| SZMMBZ5221BLT1G | 功能描述:稳压二极管 ZEN REG .225W 2.4V RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齐纳电压:12 V 电压容差:5 % 电压温度系数:0.075 % / K 齐纳电流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄电流:3 uA 最大齐纳阻抗:7 Ohms 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-214AC 封装:Reel |
| SZMMBZ5222BLT1G | 功能描述:稳压二极管 ZEN REG .225W 2.5V RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齐纳电压:12 V 电压容差:5 % 电压温度系数:0.075 % / K 齐纳电流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄电流:3 uA 最大齐纳阻抗:7 Ohms 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-214AC 封装:Reel |
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