参数资料
| 型号： | SZMMBZ33VALT3G |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 5/7页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | TVS ZENER 40W 33V SOT23-4 |
| 标准包装： | 10,000 |
| 电压 - 反向隔离（标准值）： | 26V |
| 电压 - 击穿： | 31.35V |
| 功率（瓦特）： | 40W |
| 电极标记： | 2 通道阵列 - 单向 |
| 安装类型： | * |
| 封装/外壳： | * |
| 供应商设备封装： | * |
| 包装： | * |
MMBZxxxALT1G Series, SZMMBZxxxALT1G Series
TYPICAL CHARACTERISTICS
t r ? 10 m s
PULSE WIDTH (t P ) IS DEFINED
AS THAT POINT WHERE THE
PEAK CURRENT DECAYS TO
100
90
80
100
50% OF I PP .
PEAK VALUE ? I PP
70
60
50
t P
HALF VALUE ?
I PP
2
50
40
30
20
10
0
0
1
2
3
4
0
0
25
50 75 100 125 150 175
200
t, TIME (ms)
Figure 6. Pulse Waveform
T A , AMBIENT TEMPERATURE ( ? C)
Figure 7. Pulse Derating Curve
100
10
UNIDIRECTIONAL
RECTANGULAR
WAVEFORM, T A = 25 ? C
BIDIRECTIONAL
100
10
RECTANGULAR
WAVEFORM, T A = 25 ? C
BIDIRECTIONAL
UNIDIRECTIONAL
1
0.1
1
10
100
1000
1
0.1
1
10
100
1000
PW, PULSE WIDTH (ms)
Figure 8. Maximum Non ? repetitive Surge
Power, P pk versus PW
Power is defined as V RSM x I Z (pk) where V RSM is
the clamping voltage at I Z (pk).
http://onsemi.com
5
PW, PULSE WIDTH (ms)
Figure 9. Maximum Non ? repetitive Surge
Power, P pk (NOM) versus PW
Power is defined as V Z (NOM) x I Z (pk) where
V Z (NOM) is the nominal Zener voltage measured at
the low test current used for voltage classification.
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 68464-240 | BERGSTIK II .100" DR STRAIGHT |
| SZMMBZ27VCLT3G | TVS ZENER 40W 27V DUAL CC SOT23 |
| MC33204VPG | IC OPAMP QUAD R-R LO VOLT 14DIP |
| N3429-2303RB | CONN HEADER 26POS STR GOLD T/H |
| DIN-096CPC-SR1-KR | CONN DIN PLUG 96POS R/A GOLD |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| SZMMBZ33VAWT1G | 功能描述:稳压二极管 ZEN DUAL 33V RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齐纳电压:12 V 电压容差:5 % 电压温度系数:0.075 % / K 齐纳电流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄电流:3 uA 最大齐纳阻抗:7 Ohms 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-214AC 封装:Reel |
| SZMMBZ4252T1G | 功能描述:稳压二极管 ZEN DUAL .225W 27V RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齐纳电压:12 V 电压容差:5 % 电压温度系数:0.075 % / K 齐纳电流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄电流:3 uA 最大齐纳阻抗:7 Ohms 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-214AC 封装:Reel |
| SZMMBZ4252T3G | 功能描述:稳压二极管 ZEN DUAL .225W 27V RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齐纳电压:12 V 电压容差:5 % 电压温度系数:0.075 % / K 齐纳电流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄电流:3 uA 最大齐纳阻抗:7 Ohms 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-214AC 封装:Reel |
| SZMMBZ5221BLT1G | 功能描述:稳压二极管 ZEN REG .225W 2.4V RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齐纳电压:12 V 电压容差:5 % 电压温度系数:0.075 % / K 齐纳电流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄电流:3 uA 最大齐纳阻抗:7 Ohms 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-214AC 封装:Reel |
| SZMMBZ5222BLT1G | 功能描述:稳压二极管 ZEN REG .225W 2.5V RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齐纳电压:12 V 电压容差:5 % 电压温度系数:0.075 % / K 齐纳电流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄电流:3 uA 最大齐纳阻抗:7 Ohms 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-214AC 封装:Reel |
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