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参数资料
型号： SZMMBZ5260BLT1
厂商： ON SEMICONDUCTOR
元件分类： 齐纳二极管
英文描述： 43 V, 0.225 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, TO-236AB
封装： PLASTIC, CASE 318-08, TO-236, 3 PIN
文件页数： 3/6页
文件大小： 72K
代理商： SZMMBZ5260BLT1
MMBZ5221BLT1 Series
http://onsemi.com
3
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Pinout: 1-Anode, 2-NC, 3-Cathode) (VF = 0.9 V Max @ IF = 10 mA for all types.)
Device
Marking
Zener Voltage (Note 3)
Zener Impedance
Leakage Current
VZ (Volts)
@ IZT
ZZT @ IZT
ZZK @ IZK
IR @ VR
Min
Nom
Max
mA
W
mA
Volts
MMBZ5221BL, G
18A
2.28
2.4
2.52
20
30
1200
0.25
100
1
MMBZ5222BL, G
18B
2.37
2.5
2.63
20
30
1250
0.25
100
1
MMBZ5223BL, G
18C
2.56
2.7
2.84
20
30
1300
0.25
75
1
MMBZ5224BL, G
18D
2.66
2.8
2.94
20
30
1400
0.25
75
1
MMBZ5225BL, G
18E
2.85
3
3.15
20
29
1600
0.25
50
1
MMBZ5226BL, G
8A
3.13
3.3
3.47
20
28
1600
0.25
25
1
MMBZ5227BL, G
8B
3.42
3.6
3.78
20
24
1700
0.25
15
1
MMBZ5228BL, G
8C
3.70
3.9
4.10
20
23
1900
0.25
10
1
MMBZ5229BL, G
8D
4.08
4.3
4.52
20
22
2000
0.25
5
1
MMBZ5230BL, G
8E
4.46
4.7
4.94
20
19
1900
0.25
5
2
MMBZ5231BL, G
8F
4.84
5.1
5.36
20
17
1600
0.25
5
2
MMBZ5232BL, G
8G
5.32
5.6
5.88
20
11
1600
0.25
5
3
MMBZ5233BL, G
8H
5.70
6
6.30
20
7
1600
0.25
5
3.5
MMBZ5234BL, G
8J
5.89
6.2
6.51
20
7
1000
0.25
5
4
MMBZ5235BL, G
8K
6.46
6.8
7.14
20
5
750
0.25
3
5
MMBZ5236BL, G
8L
7.12
7.5
7.88
20
6
500
0.25
3
6
MMBZ5237BL, G
8M
7.79
8.2
8.61
20
8
500
0.25
3
6.5
MMBZ5238BL, G
8N
8.26
8.7
9.14
20
8
600
0.25
3
6.5
MMBZ5239BL, G
8P
8.64
9.1
9.56
20
10
600
0.25
3
7
MMBZ5240BL, G
8Q
9.50
10
10.50
20
17
600
0.25
3
8
MMBZ5241BL, G
8R
10.4
11
11.55
20
22
600
0.25
2
8.4
MMBZ5242BL, G
8S
11.40
12
12.60
20
30
600
0.25
1
9.1
MMBZ5243BL, G
8T
12.35
13
13.65
9.5
13
600
0.25
0.5
9.9
MMBZ5244BL, G
8U
13.30
14
14.70
9
15
600
0.25
0.1
10
MMBZ5245BL, G
8V
14.25
15
15.75
8.5
16
600
0.25
0.1
11
MMBZ5246BL, G
8W
15.20
16
16.80
7.8
17
600
0.25
0.1
12
MMBZ5247BL, G
8X
16.15
17
17.85
7.4
19
600
0.25
0.1
13
MMBZ5248BL,G
8Y
17.10
18
18.90
7
21
600
0.25
0.1
14
MMBZ5249BL, G
8Z
18.05
19
19.95
6.6
23
600
0.25
0.1
14
MMBZ5250BL,G
81A
19.00
20
21.00
6.2
25
600
0.25
0.1
15
MMBZ5251BL, G
81B
20.90
22
23.10
5.6
29
600
0.25
0.1
17
MMBZ5252BL, G
81C
22.80
24
25.20
5.2
33
600
0.25
0.1
18
MMBZ5253BL, G
81D
23.75
25
26.25
5
35
600
0.25
0.1
19
MMBZ5254BL, G
81E
25.65
27
28.35
4.6
41
600
0.25
0.1
21
MMBZ5255BL, G
81F
26.60
28
29.40
4.5
44
600
0.25
0.1
21
MMBZ5256BL, G
81G
28.50
30
31.50
4.2
49
600
0.25
0.1
23
MMBZ5257BL, G
81H
31.35
33
34.65
3.8
58
700
0.25
0.1
25
MMBZ5258BL, G
81J
34.20
36
37.80
3.4
70
700
0.25
0.1
27
MMBZ5259BL, G
81K
37.05
39
40.95
3.2
80
800
0.25
0.1
30
MMBZ5260BL, G
81L
40.85
43
45.15
3
93
900
0.25
0.1
33
MMBZ5261BL, G
81M
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49.35
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1000
0.25
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MMBZ5262BL, G
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0.25
0.1
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MMBZ5263BL, G
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150
1300
0.25
0.1
43
MMBZ5264BL, G
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57.00
60
63.00
2.1
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MMBZ5265BL, G
81R
58.90
62
65.10
2
185
1400
0.25
0.1
47
MMBZ5266BL, G
81S
64.60
68
71.40
1.8
230
1600
0.25
0.1
52
MMBZ5267BL, G
81T
71.25
75
78.75
1.7
270
1700
0.25
0.1
56
MMBZ5268BL, G
81U
77.90
82
86.10
1.5
330
2000
0.25
0.1
62
MMBZ5270BL, G
81W
86.45
91
95.55
1.4
400
2300
0.25
0.1
69
3. Zener voltage is measured with a pulse test current IZ at an ambient temperature of 25°C
NOTE:
MMBZ5233BLT1, MMBZ5246BLT1, MMBZ5251BLT1, and MMBZ5252BLT1 Not Available in 10,000/Tape & Reel.
The “G” suffix indicates PbFree package available.
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PDF描述
SZMMBZ5V6ALT1 24 W, UNIDIRECTIONAL, 2 ELEMENT, SILICON, TVS DIODE, TO-236
SZMMBZ15VALT1 40 W, UNIDIRECTIONAL, 2 ELEMENT, SILICON, TVS DIODE, TO-236
SZN6309C 2.4 V, 0.5 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE
SZN6309DSMS 2.4 V, 0.5 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE
SZN6309DS 2.4 V, 0.5 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE
相关代理商/技术参数
参数描述
SZMMBZ5260BLT1G 功能描述:稳压二极管 ZEN REG .225W 43V RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齐纳电压:12 V 电压容差:5 % 电压温度系数:0.075 % / K 齐纳电流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄电流:3 uA 最大齐纳阻抗:7 Ohms 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-214AC 封装:Reel
SZMMBZ5261BLT1G 功能描述:稳压二极管 ZEN REG .225W 47V RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齐纳电压:12 V 电压容差:5 % 电压温度系数:0.075 % / K 齐纳电流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄电流:3 uA 最大齐纳阻抗:7 Ohms 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-214AC 封装:Reel
SZMMBZ5261ELT1G 功能描述:DIODE ZENER 225MW 47V SOT-23 RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> 单二极管/齐纳 系列:- 标准包装:1 系列:- 电压 - 齐纳（标称）(Vz):36V 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)（最大）:900mV @ 10mA 电流 - 在 Vr 时反向漏电:100nA @ 27V 容差:±5% 功率 - 最大:200mW 阻抗（最大）(Zzt):70 欧姆 安装类型:表面贴装 封装/外壳:SC-70，SOT-323 供应商设备封装:SOT-323 包装:剪切带 (CT) 工作温度:-65°C ~ 150°C 产品目录页面:1585 (CN2011-ZH PDF) 其它名称:MMBZ5258BWMMBZ5258BWCTMMBZ5258BWCT-NDMMBZ5258BWDICT
SZMMBZ5262BLT1G 功能描述:稳压二极管 ZEN REG .225W 51V RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齐纳电压:12 V 电压容差:5 % 电压温度系数:0.075 % / K 齐纳电流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄电流:3 uA 最大齐纳阻抗:7 Ohms 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-214AC 封装:Reel
SZMMBZ5263BLT1 制造商:ON Semiconductor 功能描述:
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