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参数资料
| 型号： | SZMMBZ5260BLT1 |
| 厂商： | ON SEMICONDUCTOR |
| 元件分类： | 齐纳二极管 |
| 英文描述： | 43 V, 0.225 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, TO-236AB |
| 封装： | PLASTIC, CASE 318-08, TO-236, 3 PIN |
| 文件页数： | 5/6页 |
| 文件大小： | 72K |
| 代理商： | SZMMBZ5260BLT1 |
MMBZ5221BLT1 Series
http://onsemi.com
5
TYPICAL CHARACTERISTICS
C,
CAP
ACIT
ANCE
(pF)
100
VZ, NOMINAL ZENER VOLTAGE (V)
Figure 5. Typical Capacitance
1000
100
10
1
10
1
BIAS AT
50% OF VZ NOM
TA = 25°C
0 V BIAS
1 V BIAS
12
VZ, ZENER VOLTAGE (V)
100
10
1
0.1
0.01
10
8
6
4
2
0
TA = 25°C
I Z
,ZENER
CURRENT
(mA)
VZ, ZENER VOLTAGE (V)
100
10
1
0.1
0.0110
30
50
70
90
TA = 25°C
I R
,LEAKAGE
CURRENT
(
A)μ
90
VZ, NOMINAL ZENER VOLTAGE (V)
Figure 6. Typical Leakage Current
1000
100
10
1
0.1
0.01
0.001
0.0001
0.00001
80
70
60
50
40
30
20
10
0
+150
°C
+25
°C
55
°C
I Z
,ZENER
CURRENT
(mA)
Figure 7. Zener Voltage versus Zener Current
(VZ Up to 12 V)
Figure 8. Zener Voltage versus Zener Current
(12 V to 91 V)
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| SZMMBZ5V6ALT1 | 24 W, UNIDIRECTIONAL, 2 ELEMENT, SILICON, TVS DIODE, TO-236 |
| SZMMBZ15VALT1 | 40 W, UNIDIRECTIONAL, 2 ELEMENT, SILICON, TVS DIODE, TO-236 |
| SZN6309C | 2.4 V, 0.5 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE |
| SZN6309DSMS | 2.4 V, 0.5 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE |
| SZN6309DS | 2.4 V, 0.5 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| SZMMBZ5260BLT1G | 功能描述:稳压二极管 ZEN REG .225W 43V RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齐纳电压:12 V 电压容差:5 % 电压温度系数:0.075 % / K 齐纳电流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄电流:3 uA 最大齐纳阻抗:7 Ohms 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-214AC 封装:Reel |
| SZMMBZ5261BLT1G | 功能描述:稳压二极管 ZEN REG .225W 47V RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齐纳电压:12 V 电压容差:5 % 电压温度系数:0.075 % / K 齐纳电流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄电流:3 uA 最大齐纳阻抗:7 Ohms 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-214AC 封装:Reel |
| SZMMBZ5261ELT1G | 功能描述:DIODE ZENER 225MW 47V SOT-23 RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> 单二极管/齐纳 系列:- 标准包装:1 系列:- 电压 - 齐纳（标称）(Vz):36V 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)（最大）:900mV @ 10mA 电流 - 在 Vr 时反向漏电:100nA @ 27V 容差:±5% 功率 - 最大:200mW 阻抗（最大）(Zzt):70 欧姆 安装类型:表面贴装 封装/外壳:SC-70，SOT-323 供应商设备封装:SOT-323 包装:剪切带 (CT) 工作温度:-65°C ~ 150°C 产品目录页面:1585 (CN2011-ZH PDF) 其它名称:MMBZ5258BWMMBZ5258BWCTMMBZ5258BWCT-NDMMBZ5258BWDICT |
| SZMMBZ5262BLT1G | 功能描述:稳压二极管 ZEN REG .225W 51V RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齐纳电压:12 V 电压容差:5 % 电压温度系数:0.075 % / K 齐纳电流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄电流:3 uA 最大齐纳阻抗:7 Ohms 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-214AC 封装:Reel |
| SZMMBZ5263BLT1 | 制造商:ON Semiconductor 功能描述: |
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