参数资料
| 型号： | SZNUP2105LT1G |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 3/7页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC CAN BUS PROTECTOR DUAL SOT23 |
| 标准包装： | 3,000 |
| 电压 - 反向隔离（标准值）： | 24V |
| 电压 - 击穿： | 26.2V |
| 功率（瓦特）： | 350W |
| 电极标记： | 2 通道阵列 - 双向 |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 供应商设备封装： | SOT-23 |
| 包装： | 带卷 (TR) |
| 其它名称： | SZNUP2105LT1G-ND SZNUP2105LT1GOSTR |
NUP2105L, SZNUP2105L
TYPICAL PERFORMANCE CURVES
(T J = 25 ? C unless otherwise noted)
110
100
90
80
70
60
50
c ? t
t d = I PP /2
WAVEFORM
PARAMETERS
t r = 8 m s
t d = 20 m s
12.0
10.0
8.0
6.0
PULSE WAVEFORM
8 x 20 m s per Figure 1
40
30
20
10
4.0
2.0
0
0
5
10
15
20
25
30
0.0
25
30
35
40
45
50
35
t, TIME ( m s)
Figure 1. Pulse Waveform, 8 ? 20 m s
f = 1.0 MHz, Line to Ground
V C , CLAMPING VOLTAGE (V)
Figure 2. Clamping Voltage vs Peak Pulse Current
50
45
30
25
125 ? C
25 ? C
40
35
30
20 ? 40 ? C
15
25
20
15
10
5
25 ? C
? 55 ? C
65 ? C
T A = +150 ? C
10
0
2
4
6
8
10
0
20
22
24
26
28
30
32
34
V R , REVERSE VOLTAGE (V)
Figure 3. Typical Junction Capacitance vs
Reverse Voltage
V BR , VOLTAGE (V)
Figure 4. V BR versus I T Characteristics
25
? 55 ? C
120
20
15
+25 ? C
+65 ? C
T A = +150 ? C
100
80
60
10
5
40
20
0
0
2
4 6 8
I L , LEAKAGE CURRENT (nA)
10
12
0
? 60
? 30
0 30 60 90
TEMPERATURE ( ? C)
120
150 180
Figure 5. I R versus Temperature Characteristics
Figure 6. Temperature Power Dissipation Derating
http://onsemi.com
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相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| TSW-106-07-T-D | CONN HEADER 12POS .100" DL TIN |
| 0388007.MXP | FUSE 250V FA 3AG METI B 7A |
| 3793-6002 | PROTECT HEADER STRT 10 CONTACT |
| 929835-01-17-RK | CONN HEADER .100 SNGL R/A 17POS |
| 0388007.MXEP | FUSE 250V PT FA 3AG METI B 7A |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
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| SZNUP2301MW6T1G | 功能描述:ESD 抑制器 MI LO CAP DIODE ARRY RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 通道:8 Channels 击穿电压:8 V 电容:45 pF 端接类型:SMD/SMT 封装 / 箱体:uQFN-16 功率耗散 Pd: 工作温度范围:- 40 C to + 85 C |
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