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参数资料
| 型号： | T1039N20TOF |
| 元件分类： | 晶闸管 |
| 英文描述： | 2200 A, 2000 V, SCR |
| 文件页数： | 1/30页 |
| 文件大小： | 451K |
| 代理商： | T1039N20TOF |
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Technische Information / Technical Information
Netz-Thyristor
Phase Control Thyristor
T 1039 N 18...22
N
Elektrische Eigenschften / Electrical properties
Vorlufige Daten
Hchstzulssige Werte / Maximum rated values
Preliminary Data
Periodische Vorwrts- und Rückwrts-Spitzensperrspannung
Tvj = - 40°C...Tvj max
VDRM , VRRM
1800, 2000
V
repetitive peak forward off-state and reverse voltages
2200
V
Vorwrts-Stospitzensperrspannung
Tvj = - 40°C...Tvj max
VDSM
1800, 2000
V
non-repetitive peak foward off-state voltage
2200
V
Rückwrts-Stospitzensperrspannung
Tvj = + 25°C...Tvj max
VRSM
1900, 2100
V
non-repetitive peak reverse voltage
2300
V
Durchlastrom-Grenzeffektivwert
ITRSMSM
2200
A
RMSM on-state current
Dauergrenzstrom
TC = 85 °C
ITAVM
1039
A
average on-state current
TC = 62 °C
1400
A
Stostrom-Grenzwert
Tvj = 25°C, tp = 10 ms
ITSM
21.500
A
surge current
Tvj = Tvj max, tp = 10 ms
18.500
A
Grenzlastintegral
Tvj = 25°C, tp = 10ms
It
2.311
As*10
It-value
Tvj = Tvj max, tp = 10ms
1.711
As*10
Kritische Stromsteilheit
DIN IEC 747-6
(diT/dt)cr
200
A/s
critical rate of rise of on-state current
f=50 Hz, vL = 10V, iGM = 1 A
diG/dt = 1 A/s
Kritische Spannungssteilheit
Tvj = Tvj max, vD = 0,67 VDRM
(dvD/dt)cr
1000 V/s
critical rate of rise of off-state voltage
5.Kennbuchstabe / 5th letter F
Charakteristische Werte / Characteristic values
Durchlaspannung
Tvj = Tvj max, iT = 2000 A
vT
max. 1,530
V
on-state voltage
Tvj = Tvj max, iT = 1000 A
max. 1,207
V
Schleusenspannung
Tvj = Tvj max
VT(TO)
0,9
V
threshold voltage
Ersatzwiderstand
Tvj = Tvj max
rT
0,3
m
slope resistance
Durchlakennlinie
Tvj = Tvj max
A=0,8835
on-state voltage
B=2,9753E-04
vT = A + B x iT + C x ln (iT + 1) + D x √ iT
C=-6,7109E-03
D=2,2924E-03
Zündstrom
Tvj = 25°C, vD = 6 V
IGT
max. 250
mA
gate trigger current
Zündspannung
Tvj = 25°C, vD = 6V
VGT
max.
2,2
V
gate trigger voltage
Nicht zündener Steuerstrom
Tvj = Tvj max, vD = 6 V
IGD
max.
10
mA
gate non-trigger current
Tvj = Tvj max,vD = 0,5 VDRM
max.
5
mA
Nicht zündene Steuerspannung
Tvj = Tvj max,vD = 0,5 VDRM
VGD
max. 0,25
mV
gate non-trigger voltage
Haltestrom
Tvj = 25°C, vD = 6 V, RA = 5
IH
max. 300
mA
holding current
Einraststrom
Tvj = 25°C, vD = 6 V, RGK>=10
IL
max. 1200
mA
latching current
iGM = 1 A, diG/dt = 1 A/s
tg = 20 s
Vorwrts- und Rückwrts-Sperrstrom
Tvj = Tvj max
iD, iR
max. 160
mA
forward off-state and reverse currents
vD = VDRM, vR = VRRM
Zündverzug
DIN IEC 747-6
tgd
max.
4
s
gate controlled delay time
Tvj = 25°C
iGM = 1 A, diG/dt = 1 A/s
SZ-M / 04.05.1999, K.-A.Rüther
A107/99
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相关PDF资料 |
PDF描述 |
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| T105BCFC50M0000 | TCXO, CLOCK, 50 MHz, CMOS OUTPUT |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| T1039N21T0F | 制造商:n/a 功能描述:Power SCR |
| T1039N22T0F | 制造商:n/a 功能描述:Power SCR |
| T1039N22TOF | 功能描述:SCR模块 2.2KV 21.5KA RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 开启状态 RMS 电流 (It RMS):260 A 不重复通态电流:4000 A 最大转折电流 IBO:4200 A 额定重复关闭状态电压 VDRM:1.6 kV 关闭状态漏泄电流（在 VDRM IDRM 下）:20 mA 开启状态电压:1.43 V 保持电流（Ih 最大值）: 栅触发电压 (Vgt): 栅触发电流 (Igt): 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:Chassis 封装 / 箱体:INT-A-PAK |
| T1039NL | 制造商:Pulse Engineering Inc 功能描述:T1/E1 DUAL XFMR |
| T1039NLT | 制造商:Pulse Engineering Inc 功能描述:T1/E1 DUAL XFMR |
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