- 您现在的位置：买卖IC网 > PDF目录196016 > T1039N20TOF 2200 A, 2000 V, SCR PDF资料下载
参数资料
| 型号： | T1039N20TOF |
| 元件分类： | 晶闸管 |
| 英文描述： | 2200 A, 2000 V, SCR |
| 文件页数： | 12/30页 |
| 文件大小： | 451K |
| 代理商： | T1039N20TOF |
第1页第2页第3页第4页第5页第6页第7页第8页第9页第10页第11页当前第12页第13页第14页第15页第16页第17页第18页第19页第20页第21页第22页第23页第24页第25页第26页第27页第28页第29页第30页
Technische Information / Technical Information
Netz-Thyristor
Phase Control Thyristor
T 1039 N 18...22
N
Elektrische Eigenschften / Electrical properties
Vorlufige Daten
Charakteristische Werte / Characteristic values
Preliminary Data
Freiwerdezeit
Tvj = Tvj max, iTM=ITAVM
tq
circuit commutatet turn-off time
vRM =100V, vDM = 0,67 VDRM
dvD/dt = 20 V/s, -diT/dt = 10 A/s
4. Kennbuchstabe / 4th letter O
typ.
300
s
Thermische Eigenschaften / Thermal properties
Innerer Wrmewiderstand
Kühlflche / cooling surface
RthJC
thermal resitance, junction to case
beidseitig / two-sided, =180°sin
max. 0,0231
°C/W
beidseitig / two-sided, DC
max. 0,0210
°C/W
Anode / anode, =180°sin
max. 0,0395
°C/W
Anode / anode, DC
max. 0,0375
°C/W
Kathode / cathode, =180°sin
max. 0,0500
°C/W
Kathode / cathode, DC
max. 0,0480
°C/W
bergangs- Wrmewiderstand
Kühlflche / cooling surface
RthJK
thermal resitance, case to heatsink
beidseitig / two-sided
max. 0,0035
°C/W
einseitig / single-sided
max. 0,0070
°C/W
Hchstzulssige Sperrschichttemperatur
Tvj max
125
°C
max. junction temperature
Betriebstemperatur
Tc op
-40...125
°C
operating temperature
Lagertemperatur
Tstg
-40...150
°C
storage temperature
Mechanische Eigenschaften / Mechanical properties
Gehuse, siehe Anlage
Seite 3
case, see appendix
page 3
Si-Element mit Druckkontakt
Si-pellet with pressure contact
Anprekraft
F
16...32
kN
clamping force
Gewicht
G
typ.
520
g
weight
Kriechstrecke
32
mm
creepage distance
Feuchteklasse
DIN 40040
C
humidity classification
Schwingfestigkeit
f = 50Hz
50
m/s
vibration resistance
Mit dieser technischen Information werden Halbleiterbauelemente spezifiziert, jedoch keine Eigenschaften zugesichert. Sie gilt
in Verbindung mit den zugehrigen Technischen Erluterungen./ The technical Information specifies semiconductors devices but
promises no characteristics. It is valid in combination with the belonging technical notes.
SZ-M / 04.05.1999, K.-A.Rüther
A107/99
Seite/page 2
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| T105BCFC50M0000 | TCXO, CLOCK, 50 MHz, CMOS OUTPUT |
| T107J6ABE2 | ROCKER SWITCH, SPDT, LATCHED AND MOMENTARY, 0.02A, 20VDC, THROUGH HOLE-RIGHT ANGLE |
| T101J1AVBE2 | ROCKER SWITCH, SPDT, LATCHED, 0.02A, 20VDC, THROUGH HOLE-RIGHT ANGLE |
| T10M20F3 | Transient Voltage Suppressor Diodes |
| T10M40F3 | Transient Voltage Suppressor Diodes |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| T1039N21T0F | 制造商:n/a 功能描述:Power SCR |
| T1039N22T0F | 制造商:n/a 功能描述:Power SCR |
| T1039N22TOF | 功能描述:SCR模块 2.2KV 21.5KA RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 开启状态 RMS 电流 (It RMS):260 A 不重复通态电流:4000 A 最大转折电流 IBO:4200 A 额定重复关闭状态电压 VDRM:1.6 kV 关闭状态漏泄电流（在 VDRM IDRM 下）:20 mA 开启状态电压:1.43 V 保持电流（Ih 最大值）: 栅触发电压 (Vgt): 栅触发电流 (Igt): 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:Chassis 封装 / 箱体:INT-A-PAK |
| T1039NL | 制造商:Pulse Engineering Inc 功能描述:T1/E1 DUAL XFMR |
| T1039NLT | 制造商:Pulse Engineering Inc 功能描述:T1/E1 DUAL XFMR |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。