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参数资料
型号： T160N06EOF
元件分类： 晶闸管
英文描述： 300 A, 600 V, SCR
文件页数： 2/7页
文件大小： 234K
代理商： T160N06EOF
T 160 N
Elektrische Eigenschaften
Electrical properties
Hchstzulssige Werte
Maximum rated values
Periodische Vorwrts- und Rückwrts-
Spitzensperrspannung
repetitive peak forward off-state and
reverse voltages
tvj = -40°C...tvj max
VDRM, VRRM
600 800 1000 1200
1400 1600 1800
V
Vorwrts-Stospitzensperrspannung
non-repetitive peak forward off-state
voltage
tvj = -40°C...tvj max
VDSM = VDRM 600 800 1000 1200
1400 1600 1800
V
Rückwrts-Stospitzensperrspannung
non-repetitive peak reverse voltage
tvj = +25°C...tvj max
VRSM = VRRM 700 900 1100 1300
1500 1700 1900
V
Durchlastrom-Grenzeffektivwert
RMS on-state current
ITRMSM
300
A
Dauergrenzstrom
average on-state current
tc = 85°C
ITAVM
160
A
tc = 73°C
190
A
Stostrom-Grenzwert
surge current
tvj = 25°C, tp = 10 ms
ITSM
3800
A
tvj = tvj max, tp = 10 ms
3400
A
Grenzlastintegral
I2 t-value
tvj = 25°C, tp = 10 ms
I2 t
72000
A2s
tvj = tvj max, tp = 10 ms
58000
A2s
Kritische Stromsteilheit
critical rate of rise of on-state current
vD ≤ 67%, vDRM, f = 50 Hz
(diT/dt)cr
150
A/s
vL=10 V, iGM= 0,75 A, diG/dt =0,75 A/s
Kritische Spannungssteilheit
critical rate of rise of off-state voltage
tvj = tvj max, vD = 67% VDRM
(dv/dt)cr
1000
V/s
Charakteristische Werte
Characteristic values
Durchlaspannung
on-state voltage
tvj = tvj max, iT = 600 A
vT
max. 1,96
V
Schleusenspannung
threshold voltage
tvj = tvj max
VT(TO)
1,08
V
Ersatzwiderstand
slope resistance
tvj = tvj max
rT
1,53
m
Zündstrom
gate trigger current
tvj = 25 °C, vD = 6 V
IGT
max. 150
mA
Zündspannung
gate trigger voltage
tvj = 25 °C, vD = 6 V
VGT
max. 1,4
V
Nicht zündender Steuerstrom
gate non-trigger current
tvj = tvj max, vD = 6 V
IGD
max. 5
mA
Nicht zündende Steuerspannung
gate non-trigger voltage
tvj = tvj max, vD = 0,5 VDRM
VGD
max. 0,2
V
Haltestrom
holding current
tvj = 25 °C, vD = 6 V, RA = 5
IH
max. 200
mA
Einraststrom
latching current
tvj = 25 °C,vD = 6 V, RGK ≥ 10
IL
max. 620
mA
iGM =0,75 A, diG /dt =0,75 A/s, tg = 20 s
Vorwrts- und Rückwrts-Sperrstrom
forward off-state and reverse currents
tvj = tvj max, vD = VDRM, vR = VRRM
iD, iR
max. 30
mA
Zündverzug
gate controlled delay time
tvj=25°C, iGM =0,75 A,diG/dt =0,75 A/s tgd
max. 4,5
s
Freiwerdezeit
circuit commutated turn-off time
siehe Techn.Erl./see Techn. Inf.
tq
typ. 200
s
Thermische Eigenschaften
Thermal properties
Innerer Wrmewiderstand
thermal resistance, junction to case
Θ
=180° el, sin
RthJC
max. 0,15 °C/W
DC
max. 0,14 °C/W
Hchstzul.Sperrschichttemperatur
max. junction temperature
tvj max
125
°C
Betriebstemperatur
operating temperature
tc op
-40...+125
°C
Lagertemperatur
storage temperature
tstg
-40...+150
°C
Mechanische Eigenschaften Mechanical properties
Si-Elemente mit Druckkontakt
Si-pellet with pressure contact
Anzugsdrehmoment
tightening torque
Gehuseform/case design B
M
20
Nm
Anprekraft
clamping force
Gehuseform/case design E
F
3,5
kN
Gewicht, Bauform E
weight, case design E
G
typ. 190
g
Kriechstrecke
creepage distance
8
mm
Feuchteklasse
humidity classification
DIN 40040
C
Schwingfestigkeit
vibration resistance
f = 50 Hz
50
m/s
Mabild, anliegend
outlines, attached
DIN 41 894-222A4/DIN 41892-204B3
相关PDF资料
PDF描述
T160N08EOF 300 A, 800 V, SCR
T1869N18TOF 4100 A, 1800 V, SCR
T1869N20TOF 4100 A, 2000 V, SCR
T2100T 400 MHz - 450 MHz RF/MICROWAVE ISOLATOR
T6007T 1420 MHz - 1530 MHz RF/MICROWAVE ISOLATOR
相关代理商/技术参数
参数描述
T160N08BOF 功能描述:SCR模块 800V 3.8KA RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 开启状态 RMS 电流 (It RMS):260 A 不重复通态电流:4000 A 最大转折电流 IBO:4200 A 额定重复关闭状态电压 VDRM:1.6 kV 关闭状态漏泄电流（在 VDRM IDRM 下）:20 mA 开启状态电压:1.43 V 保持电流（Ih 最大值）: 栅触发电压 (Vgt): 栅触发电流 (Igt): 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:Chassis 封装 / 箱体:INT-A-PAK
T160N10BOF 功能描述:SCR模块 1KV 3.8KA RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 开启状态 RMS 电流 (It RMS):260 A 不重复通态电流:4000 A 最大转折电流 IBO:4200 A 额定重复关闭状态电压 VDRM:1.6 kV 关闭状态漏泄电流（在 VDRM IDRM 下）:20 mA 开启状态电压:1.43 V 保持电流（Ih 最大值）: 栅触发电压 (Vgt): 栅触发电流 (Igt): 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:Chassis 封装 / 箱体:INT-A-PAK
T160N12BOF 功能描述:SCR模块 1.2KV 3.8KA RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 开启状态 RMS 电流 (It RMS):260 A 不重复通态电流:4000 A 最大转折电流 IBO:4200 A 额定重复关闭状态电压 VDRM:1.6 kV 关闭状态漏泄电流（在 VDRM IDRM 下）:20 mA 开启状态电压:1.43 V 保持电流（Ih 最大值）: 栅触发电压 (Vgt): 栅触发电流 (Igt): 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:Chassis 封装 / 箱体:INT-A-PAK
T160N12COF 制造商:n/a 功能描述:Power SCR
T160N12EOF 功能描述:SCR模块 1.2KV 3.8KA RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 开启状态 RMS 电流 (It RMS):260 A 不重复通态电流:4000 A 最大转折电流 IBO:4200 A 额定重复关闭状态电压 VDRM:1.6 kV 关闭状态漏泄电流（在 VDRM IDRM 下）:20 mA 开启状态电压:1.43 V 保持电流（Ih 最大值）: 栅触发电压 (Vgt): 栅触发电流 (Igt): 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:Chassis 封装 / 箱体:INT-A-PAK
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