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参数资料
| 型号： | T160N06EOF |
| 元件分类： | 晶闸管 |
| 英文描述： | 300 A, 600 V, SCR |
| 文件页数： | 3/7页 |
| 文件大小： | 234K |
| 代理商： | T160N06EOF |
T 160 N
Bild / Fig. 1
Durchlakennlinien / On-state characteristics iT = f(vT)
a -Typische Kennlinien / typical characteristics
b -Grenzkennlinien / limiting characteristics
Bild / Fig. 3
Hchstzulssige Gehusetemperatur / Max. allowable case temperature
tC= f(ITAVM)
Parameter: Stromfluwinkel / Current conduction angle θ
Bild / Fig. 4
Hchstzulssige Kühlmitteltemperatur / Max. allowable cooling medium
temperature tA = f(ITAVM)
Luftsebstkühlung / Natural air-cooling
Kühlkrper / Heatsink: K1.1-M12-A
Parameter: Stromfluwinkel / Current conduction angle θ
Bild / Fig. 2
Durchlaverlustleistung / On-state power loss PTAV = f(ITAV)
Parameter: Stromfluwinkel / Current conduction angle θ
Bild / Fig. 5
Hchstzulssige Kühlmitteltemperatur / Max. allowable cooling medium
temperatur tA = f(ITAVM)
Verstrkte Luftkühlung / forced air cooling
Kühlkrper / Heatsink: K1.1-M12-A, VL = 30 l/s
Parameter: Stromfluwinkel / Current conduction angle θ
0
50
100
150
200
250
300
ITAV [A]
PTAV
[W]
100
200
300
400
Θ
= 30°
60°
90°
120°
180°
DC
T 160 N/ 2
120
100
80
60
40
0
ITAVM [A]
20
tC
[°C]
50
100
150
200
Θ
= 30°
60°
90°
120°
180°
T 160 N / 3
120
100
80
60
40
0
20
40
60
ITAVM [A]
80
20
tA
[°C]
Θ
= 30°
60° 90°
120°
180°
T 160 N/ 4
120
100
80
60
40
0
40
80
120
ITAVM [A]
160
20
tA
[°C]
Θ
= 30°
60°
90°
120°
180°
T 160 N / 5
tvj = +125°C
1000
800
600
400
200
0
0,8
1,0
1,2
1,4
1,6
1,8
2,0
2,2
2,4
2,6
2,8
iT
[A]
vT [V]
tvj = +25°C
a
b
T 160 N / 1
0
Θ
0
Θ
0
Θ
0
Θ
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| T160N08EOF | 300 A, 800 V, SCR |
| T1869N18TOF | 4100 A, 1800 V, SCR |
| T1869N20TOF | 4100 A, 2000 V, SCR |
| T2100T | 400 MHz - 450 MHz RF/MICROWAVE ISOLATOR |
| T6007T | 1420 MHz - 1530 MHz RF/MICROWAVE ISOLATOR |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| T160N08BOF | 功能描述:SCR模块 800V 3.8KA RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 开启状态 RMS 电流 (It RMS):260 A 不重复通态电流:4000 A 最大转折电流 IBO:4200 A 额定重复关闭状态电压 VDRM:1.6 kV 关闭状态漏泄电流（在 VDRM IDRM 下）:20 mA 开启状态电压:1.43 V 保持电流（Ih 最大值）: 栅触发电压 (Vgt): 栅触发电流 (Igt): 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:Chassis 封装 / 箱体:INT-A-PAK |
| T160N10BOF | 功能描述:SCR模块 1KV 3.8KA RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 开启状态 RMS 电流 (It RMS):260 A 不重复通态电流:4000 A 最大转折电流 IBO:4200 A 额定重复关闭状态电压 VDRM:1.6 kV 关闭状态漏泄电流（在 VDRM IDRM 下）:20 mA 开启状态电压:1.43 V 保持电流（Ih 最大值）: 栅触发电压 (Vgt): 栅触发电流 (Igt): 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:Chassis 封装 / 箱体:INT-A-PAK |
| T160N12BOF | 功能描述:SCR模块 1.2KV 3.8KA RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 开启状态 RMS 电流 (It RMS):260 A 不重复通态电流:4000 A 最大转折电流 IBO:4200 A 额定重复关闭状态电压 VDRM:1.6 kV 关闭状态漏泄电流（在 VDRM IDRM 下）:20 mA 开启状态电压:1.43 V 保持电流（Ih 最大值）: 栅触发电压 (Vgt): 栅触发电流 (Igt): 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:Chassis 封装 / 箱体:INT-A-PAK |
| T160N12COF | 制造商:n/a 功能描述:Power SCR |
| T160N12EOF | 功能描述:SCR模块 1.2KV 3.8KA RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 开启状态 RMS 电流 (It RMS):260 A 不重复通态电流:4000 A 最大转折电流 IBO:4200 A 额定重复关闭状态电压 VDRM:1.6 kV 关闭状态漏泄电流（在 VDRM IDRM 下）:20 mA 开启状态电压:1.43 V 保持电流（Ih 最大值）: 栅触发电压 (Vgt): 栅触发电流 (Igt): 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:Chassis 封装 / 箱体:INT-A-PAK |
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