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参数资料
| 型号： | T436416D-6S |
| 厂商： | TM Technology, Inc. |
| 英文描述： | 4M x 16 SDRAM 1M x 16bit x 4Banks Synchronous DRAM |
| 中文描述： | 4米× 16 SDRAM的100万x 16Bit的X 4Banks同步DRAM |
| 文件页数： | 12/73页 |
| 文件大小： | 734K |
| 代理商： | T436416D-6S |
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TE
CH
tm
T436416D
TM Technology Inc. reserves the right
P. 12
to change products or specifications without notice.
Publication Date: FEB. 2007
Revision: A
RAS#
T0
T 1
T2
T3
T4
T5
T6
T7
T8
T9
T10
CLK
CKE
CS#
CAS#
WE #
A11
A10
A0-A9
DQM
DQ
tCK2
Clock min.
Address Key
t
RP
Hi-Z
PrechargeAll
Mode Register
Set Command
Any
Command
Mode Register Set Cycle
(CAS# Latency = 2, 3)
The mode register is divided into various fields depending on functionality.
Address BS0,1
A11,10
A9
A8
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
Function RFU*
RFU*
WBL
Test Mode
CAS Latency
BT
Burst Length
*Note: RFU (Reserved for future use) should stay “0” during MRS cycle.
Burst Length Field (A2~A0)
This field specifies the data length of column access using the A2~A0 pins and selects the Burst Length to be 2,
4, 8, or full page.
A2
0
0
0
0
1
1
1
1
A1
0
0
1
1
0
0
1
1
A0
0
1
0
1
0
1
0
1
Burst Length
1
2
4
8
Reserved
Reserved
Reserved
Full Page
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| T436416D-6SG | 4M x 16 SDRAM 1M x 16bit x 4Banks Synchronous DRAM |
| T436416D-7C | 4M x 16 SDRAM 1M x 16bit x 4Banks Synchronous DRAM |
| T436416D-7CG | 4M x 16 SDRAM 1M x 16bit x 4Banks Synchronous DRAM |
| T436416D-7S | 4M x 16 SDRAM 1M x 16bit x 4Banks Synchronous DRAM |
| T436416D-7SG | 4M x 16 SDRAM 1M x 16bit x 4Banks Synchronous DRAM |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| T436416D-6SG | 制造商:TMT 制造商全称:TMT 功能描述:4M x 16 SDRAM 1M x 16bit x 4Banks Synchronous DRAM |
| T436416D-7C | 制造商:TMT 制造商全称:TMT 功能描述:4M x 16 SDRAM 1M x 16bit x 4Banks Synchronous DRAM |
| T436416D-7CG | 制造商:TMT 制造商全称:TMT 功能描述:4M x 16 SDRAM 1M x 16bit x 4Banks Synchronous DRAM |
| T436416D-7S | 制造商:TMT 制造商全称:TMT 功能描述:4M x 16 SDRAM 1M x 16bit x 4Banks Synchronous DRAM |
| T436416D-7SG | 制造商:TMT 制造商全称:TMT 功能描述:4M x 16 SDRAM 1M x 16bit x 4Banks Synchronous DRAM |
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