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参数资料
| 型号： | T436432B-8SG |
| 厂商： | TM Technology, Inc. |
| 英文描述： | 2M x 32 SDRAM 512K x 32bit x 4Banks Synchronous DRAM |
| 中文描述： | 200万× 32内存为512k × 32 x 4Banks同步DRAM |
| 文件页数： | 50/72页 |
| 文件大小： | 731K |
| 代理商： | T436432B-8SG |
第1页第2页第3页第4页第5页第6页第7页第8页第9页第10页第11页第12页第13页第14页第15页第16页第17页第18页第19页第20页第21页第22页第23页第24页第25页第26页第27页第28页第29页第30页第31页第32页第33页第34页第35页第36页第37页第38页第39页第40页第41页第42页第43页第44页第45页第46页第47页第48页第49页当前第50页第51页第52页第53页第54页第55页第56页第57页第58页第59页第60页第61页第62页第63页第64页第65页第66页第67页第68页第69页第70页第71页第72页
TE
CH
tm
T436432B
TM Technology Inc. reserves the right
P. 50
to change products or specifications without notice.
Publication Date: FEB. 2007
Revision: A
Figure 15.1. Interleaved Column Write Cycle (Burst Length=4, CAS# Latency=1)
T0
T 1 T2
T3
T4
T5
T7
T8
T9
T10 T 11 T12 T13 T14 T15 T16 T17 T18 T19 T20 T21 T22
CLK
CKE
CS#
RAS#
CAS#
WE#
A10
A0~A9
DQM
DQ
BS0,1
t
CK1
Activate
Command
Bank A
Write
Command
Bank B
DBw0DBw1 DBx0
DBx1
DBy1 DAy0
Hi-Z
Write
Command
Bank A
Precharge
Command
Bank A
RAx
RAx
DAx0
DAx1 DAx2 DAx3
DBy0
DAy1
DBz0
Activate
Command
Bank B
Write
Command
Bank B
Write
Command
Bank B
Write
Command
Bank A
Precharge
Command
Bank B
t
RCD
CAx
RBw
RBw
CBw
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CAy
DBz1DBz2
DBz3
Write
Command
Bank B
t
RRD
t
RP
t
WR
t
RP
CBz
T6
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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