参数资料
型号: T659N22TOF
元件分类: 晶闸管
英文描述: 1500 A, 2200 V, SCR
文件页数: 1/4页
文件大小: 213K
代理商: T659N22TOF
European Power-
Semiconductor and
Electronics Company
SDB-MA 22.11.1996
Marketing Information
T 659 N
C
A
36
on both sides
4
3,5+0,1 x 3,5 deep
HK
plug 4,8 x 0,8
G
plug
2,8 x 0,8
相关PDF资料
PDF描述
T659N24TOF 1500 A, 2400 V, SCR
T7518 5 Mbps, ST506; ESDI COMPATIBLE, FIXED DISK CONTROLLER, PQFP144
T90RIA60 141 A, 600 V, SCR
T90RIA80 141 A, 800 V, SCR
T90RIA10 141 A, 100 V, SCR
相关代理商/技术参数
参数描述
T659N23T0F 制造商:n/a 功能描述:Power SCR
T659N24T0F 制造商:n/a 功能描述:Power SCR
T659N24TOF 功能描述:SCR模块 2.4KV 13KA RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 开启状态 RMS 电流 (It RMS):260 A 不重复通态电流:4000 A 最大转折电流 IBO:4200 A 额定重复关闭状态电压 VDRM:1.6 kV 关闭状态漏泄电流(在 VDRM IDRM 下):20 mA 开启状态电压:1.43 V 保持电流(Ih 最大值): 栅触发电压 (Vgt): 栅触发电流 (Igt): 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:Chassis 封装 / 箱体:INT-A-PAK
T659N25T0F 制造商:n/a 功能描述:Power SCR
T659N26TOF 功能描述:SCR模块 2.6KV 13KA RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 开启状态 RMS 电流 (It RMS):260 A 不重复通态电流:4000 A 最大转折电流 IBO:4200 A 额定重复关闭状态电压 VDRM:1.6 kV 关闭状态漏泄电流(在 VDRM IDRM 下):20 mA 开启状态电压:1.43 V 保持电流(Ih 最大值): 栅触发电压 (Vgt): 栅触发电流 (Igt): 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:Chassis 封装 / 箱体:INT-A-PAK