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参数资料
| 型号： | T659N22TOF |
| 元件分类： | 晶闸管 |
| 英文描述： | 1500 A, 2200 V, SCR |
| 文件页数： | 3/4页 |
| 文件大小： | 213K |
| 代理商： | T659N22TOF |
iT
[A]
vT [V]
4000
3500
3000
2500
2000
1500
1000
500
0
0,5
1
1,5
2
2,5
3
3,5
Bild / Fig. 1
Grenzdurchlakennlinie / Limiting on-state characteristic
iT = f(vT)
tvj = 125 °C
T 659 N / 1
Qr
[As]
102
103
104
100
101
102
2
3
4
5
7
2
3
4 5
7
2
3
4 5
7
-di/dt [A/s]
T 659 N / 2
Bild / Fig. 2
Sperrverzgerungsladung / Recovered Qr = f(-di/dt)
tvj = tvj max, vR = f(vT) ≤ 0,5 VRRM = 0,8 VRRM
Parameter: Durchlastrom / On-state current iTM
tgd
[s]
iG [A]
2
3
4
5
7
2
4
7
2
4
7
2
4
7
2
4
7
103
102
101
100
10-1
100
101
102
2
3 4 5
7
2
3 4 5
7
2
3 4 5
7
a
b
Bild / Fig. 3
Zündverzug / Gate controlled delay time tgd = f(iGM)
tvj = 25°C, diG/dt = iGM/1s
a - maximaler Verlauf / Limiting characteristic
b - typischer Verlauf / typical characteristic
Analytische Elemente des transienten Wrmewiderstandes ZthJC pro Zweig für DC
Analytical elements of transient thermal impedance ZthJC per arm for DC
Analytische Funktion / Analytical function:
nmax
Σ
n=1
ZthJC =
Rthn (1-e )
t
- τn
Pos. n
Rthn[°C/W]
τn [s]
Kathodenseitig / Cathode-sided
Pos. n
Rthn[°C/W]
τn [s]
Anodenseitig / Anode-sided
Pos. n
Rthn[°C/W]
τn [s]
Beidseitig / Two-sided
1
2
3
4
5
6
1
2
3
4
5
6
1
2
3
4
5
6
0,000134 0,001636 0,00195
0,00968
0,01680
0,000183 0,00166
0,00937
0,119
0,939
0,000455 0,003885 0,00331
0,0138
0,02965
0,000251 0,00243
0,0544
0,183
1,14
0,000708 0,007242 0,0137
0,02665
0,0249
0,00032
0,00387
0,0232
0,138
0,9
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| T659N24TOF | 1500 A, 2400 V, SCR |
| T7518 | 5 Mbps, ST506; ESDI COMPATIBLE, FIXED DISK CONTROLLER, PQFP144 |
| T90RIA60 | 141 A, 600 V, SCR |
| T90RIA80 | 141 A, 800 V, SCR |
| T90RIA10 | 141 A, 100 V, SCR |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| T659N23T0F | 制造商:n/a 功能描述:Power SCR |
| T659N24T0F | 制造商:n/a 功能描述:Power SCR |
| T659N24TOF | 功能描述:SCR模块 2.4KV 13KA RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 开启状态 RMS 电流 (It RMS):260 A 不重复通态电流:4000 A 最大转折电流 IBO:4200 A 额定重复关闭状态电压 VDRM:1.6 kV 关闭状态漏泄电流（在 VDRM IDRM 下）:20 mA 开启状态电压:1.43 V 保持电流（Ih 最大值）: 栅触发电压 (Vgt): 栅触发电流 (Igt): 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:Chassis 封装 / 箱体:INT-A-PAK |
| T659N25T0F | 制造商:n/a 功能描述:Power SCR |
| T659N26TOF | 功能描述:SCR模块 2.6KV 13KA RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 开启状态 RMS 电流 (It RMS):260 A 不重复通态电流:4000 A 最大转折电流 IBO:4200 A 额定重复关闭状态电压 VDRM:1.6 kV 关闭状态漏泄电流（在 VDRM IDRM 下）:20 mA 开启状态电压:1.43 V 保持电流（Ih 最大值）: 栅触发电压 (Vgt): 栅触发电流 (Igt): 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:Chassis 封装 / 箱体:INT-A-PAK |
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