型号: | T86N10BOF |
元件分类: | 晶闸管 |
英文描述: | 200 A, 1000 V, SCR |
文件页数: | 4/7页 |
文件大小: | 234K |
代理商: | T86N10BOF |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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T930S20TOC | 2130 A, 2000 V, SCR |
TA3-1W2K-V-T/R | KEYPAD SWITCH, SPST, MOMENTARY, 0.002A, 5VDC, 2.26 N, SURFACE MOUNT-RIGHT ANGLE |
TA3-1R3-V-T/R | KEYPAD SWITCH, SPST, MOMENTARY, 0.002A, 5VDC, 3.04 N, SURFACE MOUNT-RIGHT ANGLE |
TA3-2W2K-V-T/R | KEYPAD SWITCH, SPST, MOMENTARY, 0.002A, 5VDC, 2.26 N, SURFACE MOUNT-RIGHT ANGLE |
TA4013F | RF/MICROWAVE NARROW BAND LOW POWER AMPLIFIER |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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T86N12BOF | 功能描述:SCR模块 1.2KV 2.3KA RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 开启状态 RMS 电流 (It RMS):260 A 不重复通态电流:4000 A 最大转折电流 IBO:4200 A 额定重复关闭状态电压 VDRM:1.6 kV 关闭状态漏泄电流(在 VDRM IDRM 下):20 mA 开启状态电压:1.43 V 保持电流(Ih 最大值): 栅触发电压 (Vgt): 栅触发电流 (Igt): 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:Chassis 封装 / 箱体:INT-A-PAK |
T86N12COF | 制造商:n/a 功能描述:Power SCR |
T86N12EOF | 功能描述:SCR模块 1.2KV 2.3KA RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 开启状态 RMS 电流 (It RMS):260 A 不重复通态电流:4000 A 最大转折电流 IBO:4200 A 额定重复关闭状态电压 VDRM:1.6 kV 关闭状态漏泄电流(在 VDRM IDRM 下):20 mA 开启状态电压:1.43 V 保持电流(Ih 最大值): 栅触发电压 (Vgt): 栅触发电流 (Igt): 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:Chassis 封装 / 箱体:INT-A-PAK |
T86N13BOF | 制造商:n/a 功能描述:Power SCR |
T86N13COF | 制造商:n/a 功能描述:Power SCR |