参数资料
| 型号： | TB3100M-13-F |
| 厂商： | Diodes Inc |
| 文件页数： | 4/6页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | THYRISTOR PROTECT BIDIR 50A SMB |
| 其它图纸： | TB Series SMB Side TB Series SMB Top |
| 标准包装： | 1 |
| 电压 - 击穿： | 350V |
| 电压 - 断路： | 275V |
| 电压 - 导通状态： | 3.5V |
| 电流 - 峰值脉冲(8 x 20µs)： | 250A |
| 电流 - 峰值脉冲(10 x 1000µs)： | 50A |
| 电流 - 保持 (Ih)： | 150mA |
| 元件数： | 1 |
| 电容： | 60pF |
| 封装/外壳： | DO-214AA，SMB |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 2368 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | TB3100M-FDIDKR |
TB0640M - TB3500M
100
10
1.2
1.15
1.1
1
1.05
0.1
V DRM = 50V
1
0.01
0.95
0.001
-25
0
25 50 75 100 125 150
0.9
-50
-25 0 25
50
75 100 125 150 175
1.1
T J , JUNCTION TEMPERATURE (°C)
Fig. 1 Off-State Current vs. Junction Temperature
T J , JUNCTION TEMPERATURE (°C)
Fig. 2 Relative Variation of Breakdown Voltage vs. Junction Temperature
100
1.05
10
1
0.95
-50 -25
0
25
50
75
100 125 150 175
1
1
1.5
2
2.5
3
3.5
4
4.5
5
T J , JUNCTION TEMPERATURE (oC)
Fig. 3 Relative Variation of Breakover Voltage vs. Junction Temperature
1.4
1.3
1.2
1.1
1
0.9
0.8
0.7
0.6
0.5
0.4
0.3
1
0.1
V T , ON-STATE VOLTAGE (V)
Fig. 4 On-State Current vs. On-State Voltage
-50
-25
0
25 50
75
100
125
1
10
100
T J , JUNCTION TEMPERATURE (°C)
Fig. 5 Relative Variation of Holding Current vs. Junction Temperature
V R , REVERSE VOLTAGE (V)
Fig. 6 Relative Variation of Junction Capacitance vs. Reverse Voltage Bias
TB0640M - TB3500M
Document number: DS30361 Rev. 10 - 2
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November 2011
? Diodes Incorporated
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| SSW-105-01-T-S | CONN RCPT .100" 5POS SNGL TIN |
| TSW-117-08-G-S | CONN HEADER 17POS .100" SGL GOLD |
| SSQ-103-02-T-S-RA | CONN RCPT .100" 3POS SGL R/A TIN |
| TISP4070H3BJR-S | SURGE SUPP 58V BIDIR DO-214AA |
| TB2300L-13-F | THYRISTOR PROTECT BIDIR 30A SMB |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| TB3100M-TR | 制造商:LITEON-SEMI 功能描述:100A 35V TSPD |
| TB310G | 制造商:TAITRON 制造商全称:TAITRON Components Incorporated 功能描述:3.0A Glass Passivated Bridge Rectifier |
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