参数资料
| 型号： | TB3100M-13 |
| 厂商： | Diodes Inc |
| 文件页数： | 2/6页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | THYRISTOR PROTECT BI-DIR 50A SMB |
| 其它图纸： | TB Series SMB Side TB Series SMB Top |
| 标准包装： | 1 |
| 电压 - 击穿： | 350V |
| 电压 - 断路： | 275V |
| 电压 - 导通状态： | 3.5V |
| 电流 - 峰值脉冲(8 x 20µs)： | 250A |
| 电流 - 峰值脉冲(10 x 1000µs)： | 50A |
| 电流 - 保持 (Ih)： | 150mA |
| 元件数： | 1 |
| 电容： | 60pF |
| 封装/外壳： | DO-214AA，SMB |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 2368 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | TB3100MDIDKR |
TB0640M - TB3500M
Maximum Ratings @T A = 25°C unless otherwise specified
Single phase, half wave, 60Hz, resistive or inductive load.
For capacitance load, derate current by 20%.
Characteristic
Symbol
Value
Unit
Non-Repetitive Peak Impulse Current
Non-Repetitive Peak On-State Current
Typical Positive Temperature Coefficient for Breakdown Voltage
@10/1000us
@8.3ms (one-half cycle)
I pp
I TSM
Δ VBR/ Δ T j
50
30
0.1
A
A
%/°C
Thermal Characteristics
Characteristic
Thermal Resistance, Junction to Lead
Thermal Resistance, Junction to Ambient
Junction Temperature Range
Storage Temperature Range
Symbol
R θ JL
R θ JA
T J
T STG
Value
20
100
-40 to +150
-55 to +150
Unit
°C/W
°C/W
° C
° C
Maximum Rated Surge Waveform
Peak Value (I pp )
Waveform
Standard
Ipp (A)
2/10 us
8/20 us
10/160 us
10/700 us
10/560 us
10/1000 us
GR-1089-CORE
IEC 61000-4-5
FCC Part 68
ITU-T, K.20/K.21
FCC Part 68
GR-1089-CORE
300
250
150
100
75
50
t r
t p
Half Value
t r = rise time to peak value
t p = decay time to half value
TB0640M - TB3500M
Document number: DS30361 Rev. 10 - 2
2 of 6
November 2011
? Diodes Incorporated
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| SSQ-110-01-T-S | CONN RCPT .100" 10POS SNGL TIN |
| SMAJ90A-13-F | TVS UNIDIRECT 400W 90V SMA |
| 3-647609-2 | CONN HEADER 2POS VERT .100 TIN |
| TB0900M-13-F | THYRISTOR PROTECT BIDIR 50A SMB |
| 929834-02-27 | CONN HEADER .100 SNGL STR 27POS |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| TB3100M-13-F | 功能描述:硅对称二端开关元件 50A 275V RoHS:否 制造商:Bourns 转折电流 VBO:40 V 最大转折电流 IBO:800 mA 不重复通态电流: 额定重复关闭状态电压 VDRM:25 V 关闭状态漏泄电流（在 VDRM IDRM 下）: 保持电流（Ih 最大值）:50 mA 开启状态电压:5 V 关闭状态电容 CO:120 pF 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-214AA |
| TB3100M-TR | 制造商:LITEON-SEMI 功能描述:100A 35V TSPD |
| TB310G | 制造商:TAITRON 制造商全称:TAITRON Components Incorporated 功能描述:3.0A Glass Passivated Bridge Rectifier |
| TB31202 | 制造商:TOSHIBA 制造商全称:Toshiba Semiconductor 功能描述:TOSHIBA Bi-CMOS INTEGRATED CIRCUIT SILICON MONOLITHIC |
| TB31202FN | 制造商:TOSHIBA 制造商全称:Toshiba Semiconductor 功能描述:TOSHIBA Bi-CMOS INTEGRATED CIRCUIT SILICON MONOLITHIC |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。