参数资料
型号: TB3100M-13
厂商: Diodes Inc
文件页数: 5/6页
文件大小: 0K
描述: THYRISTOR PROTECT BI-DIR 50A SMB
其它图纸: TB Series SMB Side
TB Series SMB Top
标准包装: 1
电压 - 击穿: 350V
电压 - 断路: 275V
电压 - 导通状态: 3.5V
电流 - 峰值脉冲(8 x 20µs): 250A
电流 - 峰值脉冲(10 x 1000µs): 50A
电流 - 保持 (Ih): 150mA
元件数: 1
电容: 60pF
封装/外壳: DO-214AA,SMB
包装: 标准包装
产品目录页面: 2368 (CN2011-ZH PDF)
其它名称: TB3100MDIDKR
TB0640M - TB3500M
Package Outline Dimensions
B
SMB
Dim
Min
Max
A
C
A
B
C
D
3.30
4.06
1.96
0.15
3.94
4.57
2.21
0.31
J
D
E
G
H
5.00
0.05
0.76
5.59
0.20
1.52
H
G
J 2.00 2.50
All Dimensions in mm
E
Suggested Pad Layout
SMB
Dimensions
Z
G
X
Y
C
Value (in mm)
6.8
1.8
2.3
2.5
4.3
TB0640M - TB3500M
Document number: DS30361 Rev. 10 - 2
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November 2011
? Diodes Incorporated
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PDF描述
SSQ-110-01-T-S CONN RCPT .100" 10POS SNGL TIN
SMAJ90A-13-F TVS UNIDIRECT 400W 90V SMA
3-647609-2 CONN HEADER 2POS VERT .100 TIN
TB0900M-13-F THYRISTOR PROTECT BIDIR 50A SMB
929834-02-27 CONN HEADER .100 SNGL STR 27POS
相关代理商/技术参数
参数描述
TB3100M-13-F 功能描述:硅对称二端开关元件 50A 275V RoHS:否 制造商:Bourns 转折电流 VBO:40 V 最大转折电流 IBO:800 mA 不重复通态电流: 额定重复关闭状态电压 VDRM:25 V 关闭状态漏泄电流(在 VDRM IDRM 下): 保持电流(Ih 最大值):50 mA 开启状态电压:5 V 关闭状态电容 CO:120 pF 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-214AA
TB3100M-TR 制造商:LITEON-SEMI 功能描述:100A 35V TSPD
TB310G 制造商:TAITRON 制造商全称:TAITRON Components Incorporated 功能描述:3.0A Glass Passivated Bridge Rectifier
TB31202 制造商:TOSHIBA 制造商全称:Toshiba Semiconductor 功能描述:TOSHIBA Bi-CMOS INTEGRATED CIRCUIT SILICON MONOLITHIC
TB31202FN 制造商:TOSHIBA 制造商全称:Toshiba Semiconductor 功能描述:TOSHIBA Bi-CMOS INTEGRATED CIRCUIT SILICON MONOLITHIC