参数资料
型号: TC1410EOA713
厂商: Microchip Technology
文件页数: 4/16页
文件大小: 0K
描述: IC MOSFET DVR .5A HS INV 8SOIC
标准包装: 3,300
配置: 低端
输入类型: 反相
延迟时间: 30ns
电流 - 峰: 500mA
配置数: 1
输出数: 1
电源电压: 4.5 V ~ 16 V
工作温度: -40°C ~ 85°C
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
供应商设备封装: 8-SOICN
包装: 带卷 (TR)
TC1410/TC1410N
DC ELECTRICAL CHARACTERISTICS (CONTINUED)
Electrical Specifications: Unless otherwise noted, over operating temperature range with 4.5V ≤ V DD ≤ 16V.
Typical values are measured at T A = +25°C, V DD = 16V.
Parameters
Delay Time
Sym
t D2
Min
Typ
30
Max
40
Units
nsec
T A = +25°C
Conditions
33
35
45
45
0°C ≤ T A ≤ +70°C
-40°C ≤ T A ≤ +85°C, Figure 4-1
Power Supply
Power Supply Current
I S
0.5
1.0
mA
V IN = 3V, V DD = 16V
Note 1:
Switching times ensured by design.
0.1
0.15
V IN = 0V
TEMPERATURE CHARACTERISTICS
Electrical Specifications: Unless otherwise noted, all parameters apply with 4.5V ≤ V DD ≤ 16V.
Parameters
Sym
Min
Typ
Max
Units
Conditions
Temperature Ranges
Specified Temperature Range (C)
Specified Temperature Range (E)
Maximum Junction Temperature
Storage Temperature Range
T A
T A
T J
T A
0
-40
-65
+70
+85
+150
+150
oC
oC
oC
oC
Package Thermal Resistances
Thermal Resistance, 8L-MSOP
Thermal Resistance, 8L-PDIP
Thermal Resistance, 8L-SOIC
θ JA
θ JA
θ JA
206
125
155
oC/W
oC/W
oC/W
DS21389C-page 4
? 2003 Microchip Technology Inc.
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