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参数资料
| 型号： | TC1411CPA |
| 厂商： | Microchip Technology |
| 文件页数： | 3/18页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC MOSFET DVR 1A HS INV 8DIP |
| 标准包装： | 60 |
| 配置： | 低端 |
| 输入类型： | 反相 |
| 延迟时间： | 30ns |
| 电流 - 峰： | 1A |
| 配置数： | 1 |
| 输出数： | 1 |
| 电源电压： | 4.5 V ~ 16 V |
| 工作温度： | 0°C ~ 70°C |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | 8-DIP（0.300"，7.62mm） |
| 供应商设备封装： | 8-PDIP |
| 包装： | 管件 |
| 产品目录页面： | 670 (CN2011-ZH PDF) |
TC1411/TC1411N
1.0
ELECTRICAL
CHARACTERISTICS
? Stresses above those listed under "Absolute Maximum
Ratings" may cause permanent damage to the device. These
are stress ratings only and functional operation of the device
at these or any other conditions above those indicated in the
Absolute Maximum Ratings ?
Supply Voltage ..................................................... +20V
operation sections of the specifications is not implied.
Exposure to Absolute Maximum Rating conditions for
extended periods may affect device reliability.
Input Voltage ...................... V DD + 0.3V to GND – 5.0V
Power Dissipation (T A ≤ 70°C)
MSOP .......................................................... 340 mW
PDIP ............................................................ 730 mW
SOIC............................................................ 470 mW
Storage Temperature Range .............. -65°C to +150°C
Maximum Junction Temperature ...................... +150°C
DC CHARACTERISTICS
Electrical Specifications: Unless otherwise noted, over operating temperature range with 4.5V ≤ V DD ≤ 16V.
Typical values are measured at T A = +25°C, V DD = 16V.
Parameters
Sym
Min
Typ
Max
Units
Conditions
Input
Logic ‘ 1 ’, High Input Voltage
Logic ‘ 0 ’, Low Input Voltage
V IH
V IL
2.0
—
—
—
—
0.8
V
V
Input Current
I IN
-1.0
—
1.0
μA
0V ≤ V IN ≤ V DD, T A = +25°C
-10
—
10
-40°C ≤ T A ≤ +85°C
Output
High Output Voltage
Low Output Voltage
Output Resistance
V OH
V OL
R O
V DD – 0.025
—
—
—
—
8
—
0.025
11
V
V
Ω
DC Test
DC Test
V DD = 16V, I O = 10 mA, T A = +25°C
—
—
10
10
14
14
0°C ≤ T A ≤ +70°C
-40°C ≤ T A ≤ +85°C
Peak Output Current
Latch-Up Protection
Withstand Reverse Current
I PK
I REV
—
—
1.0
0.5
—
—
A
A
V DD = 16V
Duty cycle ≤ 2%, t ≤ 300 μs,
V DD = 16V
Switching Time (Note 1)
Rise Time
t R
—
25
35
ns
T A = +25°C
—
—
27
29
40
40
0°C ≤ T A ≤ +70°C
-40°C ≤ T A ≤ +85°C, Figure 4-1
Fall Time
t F
—
25
35
ns
T A = +25°C
—
—
27
29
40
40
0°C ≤ T A ≤ +70°C
-40°C ≤ T A ≤ +85°C, Figure 4-1
Delay Time
t D1
—
30
40
ns
T A = +25°C,
—
—
33
35
45
45
0°C ≤ T A ≤ +70°C
-40°C ≤ T A ≤ +85°C, Figure 4-1
Delay Time
t D2
—
30
40
ns
T A = +25°C
—
—
33
35
45
45
0°C ≤ T A ≤ +70°C
-40°C ≤ T A ≤ +85°C, Figure 4-1
Power Supply
Power Supply Current
I S
—
0.5
1.0
mA
V IN = 3V, V DD = 16V
Note 1:
Switching times ensured by design.
? 2006 Microchip Technology Inc.
—
0.1
0.15
V IN = 0V
DS21390D-page 3
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