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参数资料
| 型号： | TC1411VPA |
| 厂商： | Microchip Technology |
| 文件页数： | 6/18页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC MOSFET DVR 1A HS INV 8DIP |
| 标准包装： | 60 |
| 配置： | 低端 |
| 输入类型： | 反相 |
| 延迟时间： | 30ns |
| 电流 - 峰： | 1A |
| 配置数： | 1 |
| 输出数： | 1 |
| 电源电压： | 4.5 V ~ 16 V |
| 工作温度： | -40°C ~ 125°C |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | 8-DIP（0.300"，7.62mm） |
| 供应商设备封装： | 8-PDIP |
| 包装： | 管件 |
TC1411/TC1411N
Note: Unless otherwise indicated, over operating temperature range with 4.5V ≤ V DD ≤ 16V.
100
80
C LOAD = 1000 pF
100
80
C LOAD = 1000 pF
T A = +85 ° C
60
40
T A = +25 ° C
60
40
T A = +85 ° C
T A = +25 ° C
20
T A = -40 ° C
20
T A = -40 ° C
0
4
6
8
10
12
14
16
0
4
6
8
10
12
14
16
V DD (V)
V DD (V)
FIGURE 2-7:
Voltage.
Rise Time vs. Supply
FIGURE 2-10:
Voltage.
Fall Time vs. Supply
100
80
C LOAD = 1000 pF
100
80
C LOAD = 1000 pF
60
T A = +85 ° C
T A = +25 ° C
60
T A = +85 ° C
T A = +25 ° C
40
40
20
T A = -40 ° C
20
T A = -40 ° C
0
4
6
8
10
12
14
16
0
4
6
8
10
12
14
16
V DD (V)
V DD (V)
FIGURE 2-8:
Supply Voltage.
Propagation Delay vs.
FIGURE 2-11:
Supply Voltage.
Propagation Delay vs.
100
80
T A = +25 ° C
V DD = 16V
t RISE
36
34
T A = +25 ° C
V DD = 16V
t D2
60
32
40
20
t FALL
30
28
t D1
0
0
500
1000
1500
2000
2500
3000
3500
26
0
500
1000
1500
2000
2500
3000
3500
C LOAD (pF)
C LOAD (pF)
FIGURE 2-9:
Rise and Fall Times vs.
FIGURE 2-12:
Propagation Delays vs.
Capacitive Load.
DS21390D-page 6
Capacitive Load.
? 2006 Microchip Technology Inc.
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
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| R1D12-1205 | CONV DC/DC 1W 12VIN +/-05VOUT |
| NR6028T2R2N | INDUCTOR 2.2UH 4.2A 30% SMD |
| TC1411NVPA | IC MOSFET DVR 1A HS N-INV 8DIP |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| TC1411VUA | 功能描述:功率驱动器IC 1.0A Sngl MOSFET Drvr Inv RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
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