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参数资料
| 型号： | TC1412CPA |
| 厂商： | Microchip Technology |
| 文件页数： | 8/16页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC MOSFET DVR 2A HS INV 8DIP |
| 标准包装： | 60 |
| 配置： | 低端 |
| 输入类型： | 反相 |
| 延迟时间： | 35ns |
| 电流 - 峰： | 2A |
| 配置数： | 1 |
| 输出数： | 1 |
| 电源电压： | 4.5 V ~ 16 V |
| 工作温度： | 0°C ~ 70°C |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | 8-DIP（0.300"，7.62mm） |
| 供应商设备封装： | 8-PDIP |
| 包装： | 管件 |
TC1412/TC1412N
4.0
APPLICATION INFORMATION
+5V
Input
90%
V DD = 16V
1.0 μF
0.1 μF
0V
V DD
10%
t D1
90%
t F
t D2
t R
90%
1, 8
Output
Input
2
6, 7
Output
0V
10%
10%
TC1412
TC1412N
C L = 1000 pF
+5V
Input
Inverting Driver
TC1412
90%
4, 5
0V
10%
Input: 100 kHz,
square wave,
t RISE = t FALL ≤ 10 nsec
V DD
Output
t D1 90%
t R
90%
t D2
t F
0V
10%
Non-Inverting Driver
TC1412N
10%
FIGURE 4-1:
DS21391C-page 8
Switching Time Test Circuit.
? 2003 Microchip Technology Inc.
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| TC1412NCPA | IC MOSFET DVR 2A HS 8DIP |
| SB580-T | DIODE SCHOTTKY 5A 80V DO-201AD |
| SB570-T | DIODE SCHOTTKY 5A 70V DO-201AD |
| R1D-1215/H | CONV DC/DC 1W 12VIN +/-15VOUT |
| EEM12DTKI-S288 | CONN EDGECARD 24POS .156 EXTEND |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| TC1412EOA | 功能描述:功率驱动器IC 2A Sngl Inv RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
| TC1412EOA | 制造商:Microchip Technology Inc 功能描述:; LEADED PROCESS COMPATIBLE:YES; PEAK RE 制造商:Microchip Technology Inc 功能描述:IC, MOSFET DRIVER, LOW-SIDE, SOIC-8 |
| TC1412EOA713 | 功能描述:功率驱动器IC 2A Sngl Inv RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
| TC1412EPA | 功能描述:功率驱动器IC 2A Sngl Inv RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
| TC1412EUA | 功能描述:功率驱动器IC 2A Sngl Inv RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
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