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参数资料
| 型号： | TC1412EOA |
| 厂商： | Microchip Technology |
| 文件页数： | 2/16页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC MOSFET DVR 2A HS INV 8SOIC |
| 标准包装： | 100 |
| 配置： | 低端 |
| 输入类型： | 反相 |
| 延迟时间： | 35ns |
| 电流 - 峰： | 2A |
| 配置数： | 1 |
| 输出数： | 1 |
| 电源电压： | 4.5 V ~ 16 V |
| 工作温度： | -40°C ~ 85°C |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 8-SOICN |
| 包装： | 管件 |
| 产品目录页面： | 670 (CN2011-ZH PDF) |
TC1412/TC1412N
Functional Block Diagram
TC1412
V DD
Inverting
Outputs
300 mV
Output
Input
Non-Inverting
Outputs
Effective
Input C = 10 pF
GND
DS21391C-page 2
4.7V
TC1412N
? 2003 Microchip Technology Inc.
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 46105C | INDUCTOR 1000UH .27A SMD SHIELD |
| TC1411NEOA | IC MOSFET DVR 1A HS 8SOIC |
| EEM24DRYI | CONN EDGECARD 48POS DIP .156 SLD |
| EBM12DCSI | CONN EDGECARD 24POS DIP .156 SLD |
| 1N4937G-T | DIODE FAST REC 1A 600V DO-41 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| TC1412EOA | 制造商:Microchip Technology Inc 功能描述:; LEADED PROCESS COMPATIBLE:YES; PEAK RE 制造商:Microchip Technology Inc 功能描述:IC, MOSFET DRIVER, LOW-SIDE, SOIC-8 |
| TC1412EOA713 | 功能描述:功率驱动器IC 2A Sngl Inv RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
| TC1412EPA | 功能描述:功率驱动器IC 2A Sngl Inv RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
| TC1412EUA | 功能描述:功率驱动器IC 2A Sngl Inv RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
| TC1412EUA713 | 功能描述:功率驱动器IC 2A Sngl Inv RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
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