参数资料
型号: TC1413EOA
厂商: Microchip Technology
文件页数: 10/16页
文件大小: 0K
描述: IC MOSFET DVR 3A HS INV 8SOIC
标准包装: 100
配置: 低端
输入类型: 反相
延迟时间: 35ns
电流 - 峰: 3A
配置数: 1
输出数: 1
电源电压: 4.5 V ~ 16 V
工作温度: -40°C ~ 85°C
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
供应商设备封装: 8-SOICN
包装: 管件
产品目录页面: 670 (CN2011-ZH PDF)
其它名称: Q1198717
TC1413/TC1413N
8-Lead Plastic Dual In-line (PA) – 300 mil (PDIP)
E1
D
2
n
E
1
α
A
A2
β
c
A1
B1
L
eB
Units
INCHES*
B
p
MILLIMETERS
Dimension Limits
MIN
NOM
MAX
MIN
NOM
MAX
Number of Pins
Pitch
n
p
8
.100
8
2.54
Top to Seating Plane
Molded Package Thickness
A
A2
.140
.115
.155
.130
.170
.145
3.56 3.94
2.92 3.30
4.32
3.68
Base to Seating Plane
A1
.015
0.38
Shoulder to Shoulder Width
Molded Package Width
Overall Length
Tip to Seating Plane
Lead Thickness
Upper Lead Width
Lower Lead Width
E
E1
D
L
c
B1
B
.300
.240
.360
.125
.008
.045
.014
.313
.250
.373
.130
.012
.058
.018
.325
.260
.385
.135
.015
.070
.022
7.62 7.94
6.10 6.35
9.14 9.46
3.18 3.30
0.20 0.29
1.14 1.46
0.36 0.46
8.26
6.60
9.78
3.43
0.38
1.78
0.56
Overall Row Spacing
Mold Draft Angle Top
Mold Draft Angle Bottom
§
eB
α
β
.310
5
5
.370
10
10
.430
15
15
7.87 9.40
5 10
5 10
10.92
15
15
* Controlling Parameter
§ Significant Characteristic
Notes:
Dimensions D and E1 do not include mold flash or protrusions. Mold flash or protrusions shall not exceed
.010” (0.254mm) per side.
JEDEC Equivalent: MS-001
Drawing No. C04-018
DS21392C-page 10
? 2003 Microchip Technology Inc.
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PDF描述
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参数描述
TC1413EOA713 功能描述:功率驱动器IC 3A Sngl Inv RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube
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TC1413N 制造商:TELCOM 制造商全称:TelCom Semiconductor, Inc 功能描述:3A HIGH-SPEED MOSFET DRIVERS