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参数资料
| 型号： | TC1413EOA |
| 厂商： | Microchip Technology |
| 文件页数： | 5/16页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC MOSFET DVR 3A HS INV 8SOIC |
| 标准包装： | 100 |
| 配置： | 低端 |
| 输入类型： | 反相 |
| 延迟时间： | 35ns |
| 电流 - 峰： | 3A |
| 配置数： | 1 |
| 输出数： | 1 |
| 电源电压： | 4.5 V ~ 16 V |
| 工作温度： | -40°C ~ 85°C |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 8-SOICN |
| 包装： | 管件 |
| 产品目录页面： | 670 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | Q1198717 |
TC1413/TC1413N
2.0
Note:
TYPICAL PERFORMANCE CURVES
The graphs and tables provided following this note are a statistical summary based on a limited number of
samples and are provided for informational purposes only. The performance characteristics listed herein
are not tested or guaranteed. In some graphs or tables, the data presented may be outside the specified
operating range (e.g., outside specified power supply range) and therefore outside the warranted range.
Note: Unless otherwise indicated, over operating temperature range with 4.5V ≤ V DD ≤ 16V.
500
T A = +25 ° C
500
V SUPPLY = 16V
V IN = 3V
400
300
200
V IN = 3V
400
300
200
100
V IN = 0V
100
V IN = 0V
0
4
6
8
10
12
14
16
0
-40
-20
0
20
40
60
80
V DD (V)
TEMPERATURE ( ° C)
FIGURE 2-1:
vs. Supply Voltage.
Quiescent Supply Current
FIGURE 2-4:
vs. Temperature.
Quiescent Supply Current
1.6
T A = +25 ° C
1.6
V SUPPLY = 16V
1.5
1.4
1.3
V IH
1.5
1.4
1.3
V IH
1.2
V IL
1.2
V IL
1.1
4
6
8
10
12
14
16
1.1
-40
-20
0
20
40
60
80
V DD (V)
TEMPERATURE ( ° C)
FIGURE 2-2:
Voltage.
9
8
Input Threshold vs. Supply
FIGURE 2-5:
Temperature.
9
8
Input Threshold vs.
7
6
5
4
3
2
1
T A = +85 ° C
T A = -40 ° C
T A = +25 ° C
7
6
5
4
3
2
1
T A = +85 ° C
T A = +25 ° C
T A = -40 ° C
4
6
8
10
12
14
16
4
6
8
10
12
14
16
V DD (V)
V DD (V)
FIGURE 2-3:
High-State Output
FIGURE 2-6:
Low-State Output
Resistance vs. Supply Voltage
? 2003 Microchip Technology Inc.
Resistance vs. Supply Voltage.
DS21392C-page 5
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PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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| TC1413N | 制造商:TELCOM 制造商全称:TelCom Semiconductor, Inc 功能描述:3A HIGH-SPEED MOSFET DRIVERS |
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