参数资料
型号: TC4423EMF
厂商: Microchip Technology
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描述: IC MOSFET DVR 3A DUAL HS 8DFN
标准包装: 60
配置: 低端
输入类型: 反相
延迟时间: 33ns
电流 - 峰: 3A
配置数: 2
输出数: 2
电源电压: 4.5 V ~ 18 V
工作温度: -40°C ~ 85°C
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: 8-VDFN 裸露焊盘
供应商设备封装: 8-DFN-S(6x5)
包装: 管件
TC4423/TC4424/TC4425
Functional Block Diagram (1)
Inverting
V DD
750 μA
300 mV
Output
Input
Non-inverting
Effective
Input C = 20 pF
(Each Input)
GND
4.7V
TC4423 Dual Inverting
TC4424 Dual Non-inverting
TC4425 One Inverting, One Non-inverting
Note 1: Unused inputs should be grounded.
DS21421D-page 2
? 2004 Microchip Technology Inc.
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PDF描述
TC4423EMF713 IC MOSFET DVR 3A DUAL HS 8DFN
HCC06DREN CONN EDGECARD 12POS .100 EYELET
HBC06DREN CONN EDGECARD 12POS .100 EYELET
HCC06DREH CONN EDGECARD 12POS .100 EYELET
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相关代理商/技术参数
参数描述
TC4423EMF713 功能描述:功率驱动器IC 3A Dual RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube
TC4423EOE 功能描述:功率驱动器IC 3A Dual RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube
TC4423EOE713 功能描述:功率驱动器IC 3A Dual RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube
TC4423EPA 功能描述:功率驱动器IC 3A Dual RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube
TC4423M 制造商:MICROCHIP 制造商全称:Microchip Technology 功能描述:3A Dual High-Speed Power MOSFET Drivers