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参数资料
| 型号： | TC4423EMF |
| 厂商： | Microchip Technology |
| 文件页数： | 4/18页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC MOSFET DVR 3A DUAL HS 8DFN |
| 标准包装： | 60 |
| 配置： | 低端 |
| 输入类型： | 反相 |
| 延迟时间： | 33ns |
| 电流 - 峰： | 3A |
| 配置数： | 2 |
| 输出数： | 2 |
| 电源电压： | 4.5 V ~ 18 V |
| 工作温度： | -40°C ~ 85°C |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-VDFN 裸露焊盘 |
| 供应商设备封装： | 8-DFN-S（6x5） |
| 包装： | 管件 |
TC4423/TC4424/TC4425
DC CHARACTERISTICS (OVER OPERATING TEMPERATURE RANGE)
Electrical Specifications: Unless otherwise indicated, operating temperature range with 4.5V ≤ V DD ≤ 18V.
Parameters
Sym
Min
Typ
Max
Units
Conditions
Input
Logic ‘ 1 ’, High Input Voltage
Logic ‘ 0 ’, Low Input Voltage
V IH
V IL
2.4
—
—
—
—
0.8
V
V
Input Current
I IN
–10
—
+10
μA
0V ≤ V IN ≤ V DD
Output
High Output Voltage
Low Output Voltage
V OH
V OL
V DD – 0.025
—
—
—
—
0.025
V
V
Output Resistance, High
Output Resistance, Low
Peak Output Current
Latch-Up Protection
R OH
R OL
I PK
I REV
—
—
—
—
3.7
4.3
3.0
>1.5
8
8
—
—
?
?
A
A
I OUT = 10 mA, V DD = 18V
I OUT = 10 mA, V DD = 18V
Duty cycle ≤ 2%, t ≤ 300 μsec
Withstand Reverse Current
Switching Time (Note 1)
Rise Time
t R
—
28
60
ns
Figure 4-1 , Figure 4-2 ,
C L = 1800 pF
Fall Time
t F
—
32
60
ns
Figure 4-1 , Figure 4-2 ,
C L = 1800 pF
Delay Time
t D1
—
32
100
ns
Figure 4-1 , Figure 4-2 ,
C L = 1800 pF
Delay Time
t D2
—
38
100
ns
Figure 4-1 , Figure 4-2 ,
C L = 1800 pF
Power Supply
Power Supply Current
I S
—
2.0
3.5
mA
V IN = 3V (Both inputs)
—
0.2
0.3
V IN = 0V (Both inputs)
Note 1: Switching times ensured by design.
TEMPERATURE CHARACTERISTICS
Electrical Specifications: Unless otherwise noted, all parameters apply with 4.5V ≤ V DD ≤ 18V.
Parameters
Sym
Min
Typ
Max
Units
Conditions
Temperature Ranges
Specified Temperature Range (C)
Specified Temperature Range (E)
Specified Temperature Range (V)
Maximum Junction Temperature
Storage Temperature Range
T A
T A
T A
T J
T A
0
–40
–40
—
–65
—
—
—
—
—
+70
+85
+125
+150
+150
°C
°C
°C
°C
°C
Package Thermal Resistances
Thermal Resistance, 8L-6x5 DFN
θ JA
—
33.2
—
°C/W
Typical four-layer board with
vias to ground plane
Thermal Resistance, 8L-PDIP
Thermal Resistance, 16L-SOIC
θ JA
θ JA
—
—
125
155
—
—
°C/W
°C/W
DS21421D-page 4
? 2004 Microchip Technology Inc.
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| TC4423EMF713 | IC MOSFET DVR 3A DUAL HS 8DFN |
| HCC06DREN | CONN EDGECARD 12POS .100 EYELET |
| HBC06DREN | CONN EDGECARD 12POS .100 EYELET |
| HCC06DREH | CONN EDGECARD 12POS .100 EYELET |
| RCM08DREF | CONN EDGECARD 16POS .156 EYELET |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| TC4423EMF713 | 功能描述:功率驱动器IC 3A Dual RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
| TC4423EOE | 功能描述:功率驱动器IC 3A Dual RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
| TC4423EOE713 | 功能描述:功率驱动器IC 3A Dual RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
| TC4423EPA | 功能描述:功率驱动器IC 3A Dual RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
| TC4423M | 制造商:MICROCHIP 制造商全称:Microchip Technology 功能描述:3A Dual High-Speed Power MOSFET Drivers |
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