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参数资料
| 型号： | TC4427MJA |
| 厂商： | Microchip Technology |
| 文件页数： | 2/18页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC MOSFET DVR 1.5A DUAL HS 8CDIP |
| 标准包装： | 56 |
| 配置： | 低端 |
| 输入类型： | 非反相 |
| 延迟时间： | 20ns |
| 电流 - 峰： | 1.5A |
| 配置数： | 2 |
| 输出数： | 2 |
| 电源电压： | 4.5 V ~ 18 V |
| 工作温度： | -55°C ~ 125°C |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | 8-CDIP（0.300"，7.62mm） |
| 供应商设备封装： | 8-CERDIP |
| 包装： | 管件 |
| 其它名称： | 154793 Q1154793 |
TC4426M/TC4427M/TC4428M
Functional Block Diagram
Inverting
V DD
300 mV
Output
Input
Effective
Input C = 12 pF
(Each Input)
4.7V
Non-Inverting
TC4426M/TC4427M/TC4428M (1)
GND (2)
Note 1: The TC4426M has two inverting drivers; the TC4427M has two non-inverting drivers;
the TC4428M has one inverting and one non-inverting driver.
2: Ground any unused driver input.
DS21938A-page 2
? 2005 Microchip Technology Inc.
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| TC4428VUA713 | IC MOSFET DVR 1.5A DUAL HS 8MSOP |
| TC4429VPA | IC MOSFET DRIVER 6A HS 8DIP |
| TC4432VOA713 | IC MOSFET DRIVER 30V 1.5A 8SOIC |
| TC4452VPA | IC MOSFET DVR 12A HS 8DIP |
| TC4467COE | IC MOSFET DVR QUAD NAND 16SOIC |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| TC4427MJA | 制造商:Microchip Technology Inc 功能描述:MOSFET Driver IC |
| TC4427VMF | 功能描述:功率驱动器IC 1.5A Dual MOSFET Dr NonInvert Vtemp DFN8 RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
| TC4427VMF713 | 功能描述:功率驱动器IC 1.5A Dual MOSFET Dr Non-Inver Vtemp DFN8 RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
| TC4427VOA | 功能描述:功率驱动器IC 1.5A Dual MOSFET Dr NonInver Vtemp SOIC8 RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
| TC4427VOA713 | 功能描述:功率驱动器IC 1.5A Dual RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
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