参数资料
型号: TC4467CPD
厂商: Microchip Technology
文件页数: 15/22页
文件大小: 0K
描述: IC MOSFET DVR QUAD NAND 14DIP
标准包装: 30
配置: 低端
输入类型: 与非
延迟时间: 40ns
电流 - 峰: 1.2A
配置数: 4
输出数: 4
电源电压: 4.5 V ~ 18 V
工作温度: 0°C ~ 70°C
安装类型: 通孔
封装/外壳: 14-DIP(0.300",7.62mm)
供应商设备封装: 14-PDIP
包装: 管件
产品目录页面: 671 (CN2011-ZH PDF)
其它名称: 158-1118
158-1118-ND
TC4467/TC4468/TC4469
16-Lead Plastic Small Outline (SO) – Wide, 300 mil (SOIC)
E
p
E1
2
D
B
c
n
45 °
h
1
α
A
A2
β
Units
L
φ
INCHES*
A1
MILLIMETERS
Dimension Limits
MIN
NOM
MAX
MIN
NOM
MAX
Number of Pins
Pitch
n
p
16
.050
16
1.27
Overall Height
Molded Package Thickness
Standoff §
Overall Width
Molded Package Width
Overall Length
Chamfer Distance
Foot Length
A
A2
A1
E
E1
D
h
L
.093
.088
.004
.394
.291
.398
.010
.016
.099
.091
.008
.407
.295
.406
.020
.033
.104
.094
.012
.420
.299
.413
.029
.050
2.36
2.24
0.10
10.01
7.39
10.10
0.25
0.41
2.50
2.31
0.20
10.34
7.49
10.30
0.50
0.84
2.64
2.39
0.30
10.67
7.59
10.49
0.74
1.27
Foot Angle
φ
0
4
8
0 4
8
Lead Thickness
Lead Width
Mold Draft Angle Top
Mold Draft Angle Bottom
c
B
α
β
.009
.014
0
0
.011
.017
12
12
.013
.020
15
15
0.23
0.36
0
0
0.28
0.42
12
12
0.33
0.51
15
15
* Controlling Parameter
§ Significant Characteristic
Notes:
Dimensions D and E1 do not include mold flash or protrusions. Mold flash or protrusions shall not exceed
.010 ” (0.254mm) per side.
JEDEC Equivalent: MS-013
Drawing No. C04-102
? 2002 Microchip Technology Inc.
DS21425B-page 15
相关PDF资料
PDF描述
TC1411VUA713 IC MOSFET DVR 1A HS INV 8MSOP
R1D-1209/P CONV DC/DC 1W 12VIN +/-09VOUT
T95S335K016CZAL CAP TANT 3.3UF 16V 10% 1507
NR6028T100M INDUCTOR 10UH 1.9A 20% SMD
T95S335K010CZAL CAP TANT 3.3UF 10V 10% 1507
相关代理商/技术参数
参数描述
TC4467EJD 功能描述:功率驱动器IC 1.2A Quad NAND I/P RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube
TC4467EOE 功能描述:功率驱动器IC 1.2A Quad NAND I/P RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube
TC4467EOE 制造商:Microchip Technology Inc 功能描述:IC MOSFET DRVR SOIC16
TC4467EPD 功能描述:功率驱动器IC 1.2A Quad NAND I/P RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube
TC4467MJD 功能描述:功率驱动器IC 1.2A Quad NAND I/P RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube