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参数资料
| 型号： | TC4467CPD |
| 厂商： | Microchip Technology |
| 文件页数： | 16/22页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC MOSFET DVR QUAD NAND 14DIP |
| 标准包装： | 30 |
| 配置： | 低端 |
| 输入类型： | 与非 |
| 延迟时间： | 40ns |
| 电流 - 峰： | 1.2A |
| 配置数： | 4 |
| 输出数： | 4 |
| 电源电压： | 4.5 V ~ 18 V |
| 工作温度： | 0°C ~ 70°C |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | 14-DIP（0.300"，7.62mm） |
| 供应商设备封装： | 14-PDIP |
| 包装： | 管件 |
| 产品目录页面： | 671 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | 158-1118 158-1118-ND |
TC4467/TC4468/TC4469
NOTES:
DS21425B-page 16
? 2002 Microchip Technology Inc.
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| TC1411VUA713 | IC MOSFET DVR 1A HS INV 8MSOP |
| R1D-1209/P | CONV DC/DC 1W 12VIN +/-09VOUT |
| T95S335K016CZAL | CAP TANT 3.3UF 16V 10% 1507 |
| NR6028T100M | INDUCTOR 10UH 1.9A 20% SMD |
| T95S335K010CZAL | CAP TANT 3.3UF 10V 10% 1507 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| TC4467EJD | 功能描述:功率驱动器IC 1.2A Quad NAND I/P RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
| TC4467EOE | 功能描述:功率驱动器IC 1.2A Quad NAND I/P RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
| TC4467EOE | 制造商:Microchip Technology Inc 功能描述:IC MOSFET DRVR SOIC16 |
| TC4467EPD | 功能描述:功率驱动器IC 1.2A Quad NAND I/P RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
| TC4467MJD | 功能描述:功率驱动器IC 1.2A Quad NAND I/P RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
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