参数资料
型号: TC4467EOE
厂商: Microchip Technology
文件页数: 12/22页
文件大小: 0K
描述: IC MOSFET DVR QUAD NAND 16SOIC
标准包装: 47
配置: 低端
输入类型: 与非
延迟时间: 40ns
电流 - 峰: 1.2A
配置数: 4
输出数: 4
电源电压: 4.5 V ~ 18 V
工作温度: -40°C ~ 85°C
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: 16-SOIC(0.295",7.50mm 宽)
供应商设备封装: 16-SOIC
包装: 管件
TC4467/TC4468/TC4469
6.0
6.1
PACKAGING INFORMATION
Package Marking Information
14-Lead PDIP (300 mil)
XXXXXXXXXXXXXX
XXXXXXXXXXXXXX
YYWWNNN
14-Lead CERDIP (300 mil)
XXXXXXXXXXXXXX
XXXXXXXXXXXXXX
YYWWNNN
16-Lead SOIC (300 mil)
XXXXXXXXXXX
XXXXXXXXXXX
XXXXXXXXXXX
YYWWNNN
Example:
TC4467CPD
YYWWNNN
Example:
TC4468EJD
YYWWNNN
Example :
TC4469COE
YYWWNNN
Legend: XX...X
YY
WW
NNN
Customer specific information*
Year code (last 2 digits of calendar year)
Week code (week of January 1 is week ‘01’)
Alphanumeric traceability code
Note :
In the event the full Microchip part number cannot be marked on one line, it will
be carried over to the next line thus limiting the number of available characters
for customer specific information.
*
Standard OTP marking consists of Microchip part number, year code, week code, facility code, mask
rev#, and assembly code.
DS21425B-page 12
? 2002 Microchip Technology Inc.
相关PDF资料
PDF描述
B32522C1155J CAP FILM 1.5UF 100VDC RADIAL
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相关代理商/技术参数
参数描述
TC4467EOE 制造商:Microchip Technology Inc 功能描述:IC MOSFET DRVR SOIC16
TC4467EPD 功能描述:功率驱动器IC 1.2A Quad NAND I/P RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube
TC4467MJD 功能描述:功率驱动器IC 1.2A Quad NAND I/P RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube
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TC4468COE 功能描述:功率驱动器IC 1.2A Quad AND I/P RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube