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参数资料
| 型号： | TC4469COE713 |
| 厂商： | Microchip Technology |
| 文件页数： | 6/22页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC MOSFET DVR AND/INV 16SOIC |
| 标准包装： | 1 |
| 配置： | 低端 |
| 输入类型： | 反相和非反相 |
| 延迟时间： | 40ns |
| 电流 - 峰： | 1.2A |
| 配置数： | 4 |
| 输出数： | 4 |
| 电源电压： | 4.5 V ~ 18 V |
| 工作温度： | 0°C ~ 70°C |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 16-SOIC（0.295"，7.50mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 16-SOIC |
| 包装： | 剪切带 (CT) |
| 产品目录页面： | 671 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | TC4469COE713CT |
TC4467/TC4468/TC4469
2.0
Note:
140
TYPICAL PERFORMANCE CURVES (CONTINUED)
T A = +25°C, with 4.5 V ≤ V DD ≤ 18 V.
70
120
100
80
60
40
INPUT RISING
INPUT FALLING
t D2
t D1
V DD = 12 V
60
50
40
V DD = 17.5 V
= 470 pF
V IN
t D1
t D2
20
30
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
20
-60
-40
-20
0
20
40
60
80
100
120
V DRIVE (V)
° C)
FIGURE 2-7:
Times.
2.5
Input Amplitude vs. Delay
FIGURE 2-10:
vs. Temperatures.
3.5
Propagation Delay Times
V DD = 17.5 V
3.0
2.0
2.5
1.5
1.0
0.5
OUTPUTS = 0
OUTPUTS = 1
2.0
1.5
1.0
0.5
OUTPUTS = 1
OUTPUTS = 0
0
4
6
8
10
12
14
16
18
0
-60
-40
-20
0
20
40
60
80
100
120
V SUPPLY (V)
T JUNCTION ( ° C)
FIGURE 2-8:
vs. Supply Voltage.
35
30
25
20
15
10
5
Quiescent Supply Current
T J = +150 ° C
T J = +25 ° C
FIGURE 2-11:
vs. Temperature.
35
30
25
20
15
10
5
Quiescent Supply Current
T J = +150 ° C
T J = +25 ° C
0
4
6
8
10
12
14
16
18
0
4
6
8
10
12
14
16
18
V SUPPLY (V)
V
SUPPLY
(V)
FIGURE 2-9:
High-State Output
FIGURE 2-12:
Low-State Output
Resistance.
DS21425B-page 6
Resistance.
? 2002 Microchip Technology Inc.
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
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| 12LRS474C | INDUCTOR RAD 470UH .53A T/H 10X8 |
| TC1413NEOA | IC MOSFET DVR 3A HS 8SOIC |
| ECC22DCMN | CONN EDGECARD 44POS .100 WW |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| TC4469COE713-CUT TAPE | 制造商:Microchip 功能描述:TC4469 Series 1.2 A 18 Vmax 15 Ohm Quad Low Side MOSFET Driver - SOIC-16 |
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| TC4469CPD | 制造商:Microchip Technology Inc 功能描述:MOSFET Driver IC |
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