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参数资料
型号： TC55NEM216AFTN55
厂商： Toshiba Corporation
英文描述： TOSHIBA MOS DIGITAL INTEGRATED CIRCUIT SILICON GATE CMOS
中文描述： 东芝马鞍山数字集成电路硅栅CMOS
文件页数： 2/11页
文件大小： 181K
代理商： TC55NEM216AFTN55
TC55NEM216AFTN55,70
2002-07-04 2/11
BLOCK DIAGRAM
V
DD
GND
I/O1
I/O2
I/O3
I/O4
I/O5
I/O6
I/O7
CE
I/O8
R/W
CE
I/O9
I/O10
I/O11
I/O12
I/O13
I/O14
I/O15
I/O16
OE
UB
LB
A0 A1 A2 A3 A4 A5 A16
CE
CE
A6
A7
A8
A9
A10
A11
A12
A13
A14
A15
A17
R
D
R
B
R
R
MEMORY CELL ARRAY
2,048
×
128
×
16
(4,194,304)
D
I
B
D
I
B
D
O
B
D
O
B
SENSE AMP
COLUMN ADDRESS
REGISTER
COLUMN ADDRESS
BUFFER
COLUMN ADDRESS
DECODER
CLOCK
GENERATOR
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