型号: | TC55NEM216AFTN55 |
厂商: | Toshiba Corporation |
英文描述: | TOSHIBA MOS DIGITAL INTEGRATED CIRCUIT SILICON GATE CMOS |
中文描述: | 东芝马鞍山数字集成电路硅栅CMOS |
文件页数: | 9/11页 |
文件大小: | 181K |
代理商: | TC55NEM216AFTN55 |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
---|---|
TC55V1001AFTI | 131,072-Word By 8-Bit Static RAM(131,072字 × 8位静态RAM) |
TC55V1001ASRI | 131,072-Word By 8-Bit Static RAM(131,072字 × 8位静态RAM) |
TC55V1001ASTI | 131,072-Word By 8-Bit Static RAM(131,072字 × 8位静态RAM) |
TC55V1001ATRI | 131,072-Word By 8-Bit Static RAM(131,072字 × 8位静态RAM) |
TC55V1001AFT | 131,072-Word By 8-Bit Static RAM(131,072字 × 8位静态RAM) |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
---|---|
TC55NEM216AFTN70 | 制造商:TOSHIBA 制造商全称:Toshiba Semiconductor 功能描述:TOSHIBA MOS DIGITAL INTEGRATED CIRCUIT SILICON GATE CMOS |
TC55NEM216ASGV70LA | 功能描述:IC SRAM 4MBIT 70NS 44TSOP RoHS:是 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:576 系列:- 格式 - 存储器:闪存 存储器类型:闪存 - NAND 存储容量:512M(64M x 8) 速度:- 接口:并联 电源电压:2.7 V ~ 3.6 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:48-TFSOP(0.724",18.40mm 宽) 供应商设备封装:48-TSOP 包装:托盘 其它名称:497-5040 |
TC55NEM216ASTV55 | 制造商:TOSHIBA 制造商全称:Toshiba Semiconductor 功能描述:TOSHIBA MOS DIGITAL INTEGRATED CIRCUIT SILICON GATE CMOS |
TC55NEM216ASTV70 | 制造商:TOSHIBA 制造商全称:Toshiba Semiconductor 功能描述:TOSHIBA MOS DIGITAL INTEGRATED CIRCUIT SILICON GATE CMOS |
TC55NEM216ATGN55LA | 功能描述:IC SRAM 4MBIT 55NS 54TSOP RoHS:是 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:576 系列:- 格式 - 存储器:闪存 存储器类型:闪存 - NAND 存储容量:512M(64M x 8) 速度:- 接口:并联 电源电压:2.7 V ~ 3.6 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:48-TFSOP(0.724",18.40mm 宽) 供应商设备封装:48-TSOP 包装:托盘 其它名称:497-5040 |