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参数资料
| 型号： | TCET1108G |
| 厂商： | VISHAY TELEFUNKEN |
| 元件分类： | 光电耦合器 |
| 英文描述： | 1 CHANNEL TRANSISTOR OUTPUT OPTOCOUPLER |
| 封装： | PLASTIC, DIP-4 |
| 文件页数： | 2/11页 |
| 文件大小： | 143K |
| 代理商： | TCET1108G |
TCET110.(G) up to TCET4100
Vishay Telefunken
www.vishay.de
FaxBack +1-408-970-5600
10 (11)
Document Number 83503
Rev. A6, 08–Sep–99
Dimensions of TCET2100 in mm
14784
Dimensions of TCET4100 in mm
14783
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| TCET1109 | 功能描述:晶体管输出光电耦合器 Phototransistor Out Single CTR>200-400% RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 输入类型:DC 最大集电极/发射极电压:70 V 最大集电极/发射极饱和电压:0.4 V 绝缘电压:5300 Vrms 电流传递比:100 % to 200 % 最大正向二极管电压:1.65 V 最大输入二极管电流:60 mA 最大集电极电流:100 mA 最大功率耗散:100 mW 最大工作温度:+ 110 C 最小工作温度:- 55 C 封装 / 箱体:DIP-4 封装:Bulk |
| TCET1109G | 功能描述:晶体管输出光电耦合器 Phototransistor Out Single CTR 200-400% RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 输入类型:DC 最大集电极/发射极电压:70 V 最大集电极/发射极饱和电压:0.4 V 绝缘电压:5300 Vrms 电流传递比:100 % to 200 % 最大正向二极管电压:1.65 V 最大输入二极管电流:60 mA 最大集电极电流:100 mA 最大功率耗散:100 mW 最大工作温度:+ 110 C 最小工作温度:- 55 C 封装 / 箱体:DIP-4 封装:Bulk |
| TCET1110 | 功能描述:晶体管输出光电耦合器 Phototransistor Out Single CTR > 50-600% RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 输入类型:DC 最大集电极/发射极电压:70 V 最大集电极/发射极饱和电压:0.4 V 绝缘电压:5300 Vrms 电流传递比:100 % to 200 % 最大正向二极管电压:1.65 V 最大输入二极管电流:60 mA 最大集电极电流:100 mA 最大功率耗散:100 mW 最大工作温度:+ 110 C 最小工作温度:- 55 C 封装 / 箱体:DIP-4 封装:Bulk |
| TCET1110_07 | 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:Optocoupler, Phototransistor Output, High Temperature, 110 °C Rated |
| TCET1110G | 功能描述:晶体管输出光电耦合器 Phototransistor Out Single CTR > 50-600% RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 输入类型:DC 最大集电极/发射极电压:70 V 最大集电极/发射极饱和电压:0.4 V 绝缘电压:5300 Vrms 电流传递比:100 % to 200 % 最大正向二极管电压:1.65 V 最大输入二极管电流:60 mA 最大集电极电流:100 mA 最大功率耗散:100 mW 最大工作温度:+ 110 C 最小工作温度:- 55 C 封装 / 箱体:DIP-4 封装:Bulk |
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