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参数资料
| 型号： | TCET1108G |
| 厂商： | VISHAY TELEFUNKEN |
| 元件分类： | 光电耦合器 |
| 英文描述： | 1 CHANNEL TRANSISTOR OUTPUT OPTOCOUPLER |
| 封装： | PLASTIC, DIP-4 |
| 文件页数： | 8/11页 |
| 文件大小： | 143K |
| 代理商： | TCET1108G |
TCET110.(G) up to TCET4100
Vishay Telefunken
www.vishay.de
FaxBack +1-408-970-5600
6 (11)
Document Number 83503
Rev. A6, 08–Sep–99
Switching Characteristics
Parameter
Test Conditions
Symbol
Typ.
Unit
Delay time
VS = 5 V, IC = 2 mA, RL = 100 W (see figure 3)
td
3.0
ms
Rise time
VS
5 V, IC
2 mA, RL
100
W (see figure 3)
tr
3.0
ms
Turn-on time
ton
6.0
ms
Storage time
ts
0.3
ms
Fall time
tf
4.7
ms
Turn-off time
toff
5.0
ms
Turn-on time
VS = 5 V, IF = 10 mA, RL = 1 kW (see figure 4)
ton
9.0
ms
Turn-off time
VS
5 V, IF
10 mA, RL
1 k
W (see figure 4)
toff
10.0
ms
Channel I
Channel II
95 10804
Oscilloscope
RL = 1 MW
CL = 20 pF
RG = 50 W
tp
tp = 50 ms
T
= 0.01
+ 5 V
IC = 2 mA; adjusted through
input amplitude
IF
0
IF
50
W
100
W
Figure 3. Test circuit, non-saturated operation
+ 5 V
IF = 10 mA
95 10843
IC
Channel I
Channel II
Oscilloscope
RL > 1 MW
CL < 20 pF
IF
0
RG = 50 W
tp
tp = 50 ms
T
= 0.01
50
W
1 k
W
Figure 4. Test circuit, saturated operation
tp
t
0
10%
90%
100%
tr
td
ton
ts
tf
toff
IF
IC
96 11698
tp
pulse duration
td
delay time
tr
rise time
ton (= td + tr)
turn-on time
ts
storage time
tf
fall time
toff (= ts + tf)
turn-off time
Figure 5. Switching times
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参数描述 |
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| TCET1109G | 功能描述:晶体管输出光电耦合器 Phototransistor Out Single CTR 200-400% RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 输入类型:DC 最大集电极/发射极电压:70 V 最大集电极/发射极饱和电压:0.4 V 绝缘电压:5300 Vrms 电流传递比:100 % to 200 % 最大正向二极管电压:1.65 V 最大输入二极管电流:60 mA 最大集电极电流:100 mA 最大功率耗散:100 mW 最大工作温度:+ 110 C 最小工作温度:- 55 C 封装 / 箱体:DIP-4 封装:Bulk |
| TCET1110 | 功能描述:晶体管输出光电耦合器 Phototransistor Out Single CTR > 50-600% RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 输入类型:DC 最大集电极/发射极电压:70 V 最大集电极/发射极饱和电压:0.4 V 绝缘电压:5300 Vrms 电流传递比:100 % to 200 % 最大正向二极管电压:1.65 V 最大输入二极管电流:60 mA 最大集电极电流:100 mA 最大功率耗散:100 mW 最大工作温度:+ 110 C 最小工作温度:- 55 C 封装 / 箱体:DIP-4 封装:Bulk |
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