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参数资料
| 型号： | TD111F02KEB-K |
| 元件分类： | 晶闸管 |
| 英文描述： | 200 A, 200 V, SCR |
| 文件页数： | 1/6页 |
| 文件大小： | 242K |
| 代理商： | TD111F02KEB-K |
European Power-
Semiconductor and
Electronics Company
VWK Febr. 1997
Marketing Information
TT 111 F
plug
A 2,8 x 0,8
max. 12
screwing depth
M6x15 Z4-1
fillister head screw
III
II
I
K1
K2
25
15
80
94
5
13,3
14
G2
G1
AK K
A
K1 G1
K2 G2
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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| TD111F06KEB-K | 200 A, 600 V, SCR |
| TD111F08KEB-K | 200 A, 800 V, SCR |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| TD111F08KDC | 功能描述:分立半导体模块 800V 200A RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 产品:Thyristor Power Modules 类型:Phase Controls 安装风格:Screw 封装 / 箱体:DT61 封装: |
| TD111F08KEC | 功能描述:分立半导体模块 800V 200A RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 产品:Thyristor Power Modules 类型:Phase Controls 安装风格:Screw 封装 / 箱体:DT61 封装: |
| TD111F08KSC | 功能描述:SCR模块 RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 开启状态 RMS 电流 (It RMS):260 A 不重复通态电流:4000 A 最大转折电流 IBO:4200 A 额定重复关闭状态电压 VDRM:1.6 kV 关闭状态漏泄电流（在 VDRM IDRM 下）:20 mA 开启状态电压:1.43 V 保持电流（Ih 最大值）: 栅触发电压 (Vgt): 栅触发电流 (Igt): 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:Chassis 封装 / 箱体:INT-A-PAK |
| TD111F10KDC | 功能描述:分立半导体模块 1000V 200A RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 产品:Thyristor Power Modules 类型:Phase Controls 安装风格:Screw 封装 / 箱体:DT61 封装: |
| TD111F10KEC | 功能描述:分立半导体模块 1000V 200A RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 产品:Thyristor Power Modules 类型:Phase Controls 安装风格:Screw 封装 / 箱体:DT61 封装: |
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