- 您现在的位置：买卖IC网 > PDF目录225293 > TD111F02KEB-K 200 A, 200 V, SCR PDF资料下载
参数资料
| 型号： | TD111F02KEB-K |
| 元件分类： | 晶闸管 |
| 英文描述： | 200 A, 200 V, SCR |
| 文件页数： | 2/6页 |
| 文件大小： | 242K |
| 代理商： | TD111F02KEB-K |
eupec GmbH + Co KG, Max-Planck-Str. 5, D59581 Warstein, Telefon +49 (0)2902/ 764-0, Telefax /764-256
TT 111 F, TD 111 F, DT 111 F
Elektrische Eigenschaften
Electrical properties
Hchstzulssige Werte
Maximum rated values
Periodische Vorwrts- und Rückwrts-
Spitzensperrspannung
repetitive peak forward off-state and
reverse voltages
tvj = -40°C...tvj max
VDRM, VRRM
200 400 600 800
V
Vorwrts-Stospitzensperrspannung
non-repetitive peak forward off-state
voltage
tvj = -40°C...tvj max
VDSM= VDRM
Rückwrts-Stospitzensperrspannung non-repetitive peak reverse voltage
tvj = +25°C...tvj max
VRSM= VRRM
+ 100
V
Durchlastrom-Grenzeffektivwert
RMS on-state current
ITRMSM
200
A
Dauergrenzstrom
average on-state current
tc = 85°C
ITAVM
111
A
tc = 76°C
128
A
Stostrom-Grenzwert
surge current
tvj = 25°C, tp = 10 ms
ITSM
3000
A
tvj = tvj max, tp = 10 ms
2600
A
Grenzlastintegral
∫ i2dt-value
tvj = 25°C, tp = 10 ms
∫ i2dt
45000
A2s
tvj = tvj max, tp = 10 ms
33800
A2s
Kritische Stromsteilheit
critical rate of rise of on-state current
vD ≤ 67%, VDRM, fo = 50 Hz
(di/dt)cr
160
A/s
IGM = 0,6 A, diG/dt = 0,6 A/s
Kritische Spannungssteilheit
critical rate of rise of off-state voltage
tvj = tvj max, VD = 0,67 VDRM
(dv/dt)cr
1)
2)
6.Kennbuchstabe/6th letter B
50
V/s
6.Kennbuchstabe/6th letter C
500
V/s
6.Kennbuchstabe/6th letter L
500
50
V/s
6.Kennbuchstabe/6th letter M
1000
500
V/s
Charakteristische Werte
Characteristic values
Durchlaspannung
on-state voltage
tvj = tvj max, iT = 350 A
vT
max. 1,95
V
Schleusenspannung
threshold voltage
tvj = tvj max
VT(TO)
1,2
V
Ersatzwiderstand
slope resistance
tvj = tvj max
rT
1,4
m
Zündstrom
gate trigger current
tvj = 25 °C, vD = 6 V
IGT
max. 150
mA
Zündspannung
gate trigger voltage
tvj = 25 °C, vD = 6 V
VGT
max. 2
V
Nicht zündender Steuerstrom
gate non-trigger current
tvj = tvj max, vD = 6 V
IGD
max. 10
mA
Nicht zündende Steuerspannung
gate non-trigger voltage
tvj = tvj max, vD = 0,5 VDRM
VGD
max. 0,25
V
Haltestrom
holding current
tvj = 25 °C, vD = 6 V, RA = 10
IH
max. 250
mA
Einraststrom
latching current
tvj = 25 °C,vD = 6 V, RGK > = 20
IL
max. 1
A
iGM = 0,6 A, diG/dt = 0,6 A/s, tg = 10 s
Vorwrts- und Rückwrts-Sperrstrom
forward off-state and reverse currents tvj = tvj max, vD=VDRM, vR= VRRM
iD, iR
max. 30
mA
Zündverzug
gate controlled delay time
tvj=25°C, IGM=0,6 A,diG/dt =0,6 A/s
tgd
max. 1,4
s
Freiwerdezeit
circuit commutated turn-off time
siehe Techn.Erl./see Techn. Inf.
tq
C: max. 12
s
D: max. 15
s
D: max. 20
s
Isolations-Prüfspannung
insulation test voltage
RMS, f = 50 Hz, 1 min.
VISOL
3
kV
Thermische Eigenschaften
Thermal properties
Innerer Wrmewiderstand
thermal resistance, junction
Θ =180° el,sinus: pro Modul/per module RthJC
max. 0,115 °C/W
to case
pro Zweig/per arm
max. 0,23 °C/W
DC:
pro Modul/per module
max. 0,107 °C/W
pro Zweig/per arm
max. 0,214 °C/W
bergangs-Wrmewiderstand
thermal resistance, case to heatsink
pro Modul/per module
RthCK
max. 0,03 °C/W
pro Zweig/per arm
max. 0,06 °C/W
Hchstzul.Sperrschichttemperatur
max. junction temperature
tvj max
125
°C
Betriebstemperatur
operating temperature
tc op
-40...+125
°C
Lagertemperatur
storage temperature
tstg
-40...+130
°C
Mechanische Eigenschaften
Mechanical properties
Si-Elemente mit Druckkontakt
Si-pellet with pressure contact
Innere Isolation
internal insulation
AIN
Anzugsdrehmomente für mechanische
Befestigung
mounting torque
Toleranz/tolerance ± 15%
M1
6
Nm
Anzugsdrehmoment für elektrische
Anschlüsse
terminal connection torque
Toleranz/tolerance +5%/-10%
M2
6
Nm
Gewicht
weight
G
typ. 430
g
Kriechstrecke
creepage distance
14
mm
Schwingfestigkeit
vibration resistance
f = 50 Hz
5 . 9,81
m/s
Mabild
outline
1
1) Werte nach DIN 41787 (ohne vorausgehende Kommutierung) / Values according to DIN 41787 (without prior commutation)
2) Unmittelbar nach der Freiwerdezeit / Immediately after circuit commutated turn-off time
Daten der Dioden siehe unter DD 122 S bei VRRM ≤ 800 V und DD 121 S bei VRRM≤ 1000 V
For data of the diode refer to DD 122 S at VRRM ≤ 800 V and DD 121 S at VRRM ≤ 1000 V
TT 111 F, TD 111 F, DT 111 F knnen auch mit gemeinsamer Anode oder gemeinsamer Kathode geliefert werden.
TT 111 F, TD 111 F, DT 111 F can also be supplied with common or common cathode
Recognized by UNDERWRITERS LABORATORIES INC.
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| TD111F04KEB-A | 200 A, 400 V, SCR |
| TD111F04KEB-K | 200 A, 400 V, SCR |
| TD111F06KEB-A | 200 A, 600 V, SCR |
| TD111F06KEB-K | 200 A, 600 V, SCR |
| TD111F08KEB-K | 200 A, 800 V, SCR |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| TD111F08KDC | 功能描述:分立半导体模块 800V 200A RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 产品:Thyristor Power Modules 类型:Phase Controls 安装风格:Screw 封装 / 箱体:DT61 封装: |
| TD111F08KEC | 功能描述:分立半导体模块 800V 200A RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 产品:Thyristor Power Modules 类型:Phase Controls 安装风格:Screw 封装 / 箱体:DT61 封装: |
| TD111F08KSC | 功能描述:SCR模块 RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 开启状态 RMS 电流 (It RMS):260 A 不重复通态电流:4000 A 最大转折电流 IBO:4200 A 额定重复关闭状态电压 VDRM:1.6 kV 关闭状态漏泄电流（在 VDRM IDRM 下）:20 mA 开启状态电压:1.43 V 保持电流（Ih 最大值）: 栅触发电压 (Vgt): 栅触发电流 (Igt): 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:Chassis 封装 / 箱体:INT-A-PAK |
| TD111F10KDC | 功能描述:分立半导体模块 1000V 200A RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 产品:Thyristor Power Modules 类型:Phase Controls 安装风格:Screw 封装 / 箱体:DT61 封装: |
| TD111F10KEC | 功能描述:分立半导体模块 1000V 200A RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 产品:Thyristor Power Modules 类型:Phase Controls 安装风格:Screw 封装 / 箱体:DT61 封装: |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。