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参数资料
| 型号： | TD220ID |
| 厂商： | STMICROELECTRONICS |
| 元件分类： | MOSFETs |
| 英文描述： | 1 A BUF OR INV BASED MOSFET DRIVER, PDSO8 |
| 封装： | PLASTIC, SO-8 |
| 文件页数： | 5/8页 |
| 文件大小： | 80K |
| 代理商： | TD220ID |
Electrical Characteristics
TD220/221
5/8
Gate Output
VOL
Output low voltage
Igate=10mA
0.5
V
VOH
Output high voltage
Igate=-10mA
VCC-2.0
V
Isink
Output sink current
Vgate=6V
Tj=25°C
-25°C < Tj < 125°C
120
300
mA
Isrc
Output source current
Vgate=3V
Tj=25°C
-25°C < Tj < 125°C
60
150
mA
VOL2
Output low voltage in UVLO state
Vcc=6V, Igate=1mA
2V
tgmin
Minimum output pulse width 1
Cgate=10pF
80
ns
tpd
IN to GATE propagation delay
200
ns
Under Voltage Lockout (UVLO)
UVLOH
UVLO top threshold
15
V
UVLOL
UVLO bottom threshold
7.8
8.7
V
Vhyst
UVLO Hysteresis
Vhyst=UVLOH-UVLOL
5V
1) Not 100% tested. Guaranteed by design.
Symbol
Parameter
Test Condition
Min
Typ
Max
Unit
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PDF描述 |
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| TD3Q4TAEB1002F | 1 ELEMENT, 10000 uH, GENERAL PURPOSE INDUCTOR |
| TD3Q4TMEB1502F | 1 ELEMENT, 15000 uH, GENERAL PURPOSE INDUCTOR |
| TD4Q4TDEB2001 | 1 ELEMENT, 2000 uH, GENERAL PURPOSE INDUCTOR |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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