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参数资料
| 型号： | TD220ID |
| 厂商： | STMICROELECTRONICS |
| 元件分类： | MOSFETs |
| 英文描述： | 1 A BUF OR INV BASED MOSFET DRIVER, PDSO8 |
| 封装： | PLASTIC, SO-8 |
| 文件页数： | 6/8页 |
| 文件大小： | 80K |
| 代理商： | TD220ID |
TD220/221
Timing Diagrams
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4
TIMING DIAGRAMS
Fig. 1: Power up and power down
Fig. 2: Two point regulator
APPLICATION DIAGRAM
VCC
Icc
GATE
Istby
VOL2
UVH
UVL
Vccmin
VOUT
1V
Tstartup
VCC
13.6V
12.4V
GND
VCAP
VSUP
300mV
GND
IN
VOUT
VCC
GATE
VCAP
VSUP
L?
Q?
R?
D?
C?
1uF
C?
220nF
C?
10uF
C?
R?
C
HV DC ou
HV DC in
DC supply
D1
D2
D3
Q1
22V
Vreg
UVLO
TPR
13V
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| TD3Q3TMEB1001G | 1 ELEMENT, 1000 uH, GENERAL PURPOSE INDUCTOR |
| TD3Q3TMEB3321F | 1 ELEMENT, 3320 uH, GENERAL PURPOSE INDUCTOR |
| TD3Q4TAEB1002F | 1 ELEMENT, 10000 uH, GENERAL PURPOSE INDUCTOR |
| TD3Q4TMEB1502F | 1 ELEMENT, 15000 uH, GENERAL PURPOSE INDUCTOR |
| TD4Q4TDEB2001 | 1 ELEMENT, 2000 uH, GENERAL PURPOSE INDUCTOR |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| TD220IDT | 功能描述:功率驱动器IC GATE DRIVER RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
| TD220M10 | 制造商:NTE 制造商全称:NTE Electronics 功能描述:SOLID TANTALUM |
| TD220M16 | 制造商:NTE 制造商全称:NTE Electronics 功能描述:SOLID TANTALUM |
| TD220M20 | 制造商:NTE 制造商全称:NTE Electronics 功能描述:SOLID TANTALUM |
| TD220M25 | 制造商:NTE 制造商全称:NTE Electronics 功能描述:SOLID TANTALUM |
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