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参数资料
| 型号： | TE28F008B3T120 |
| 厂商： | INTEL CORP |
| 元件分类： | DRAM |
| 英文描述： | SMART 3 ADVANCED BOOT BLOCK BYTE-WIDE |
| 中文描述： | 1M X 8 FLASH 3V PROM, 120 ns, PDSO40 |
| 封装： | 10 X 20 MM, TSOP-40 |
| 文件页数： | 33/49页 |
| 文件大小： | 408K |
| 代理商： | TE28F008B3T120 |
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E
SMART 3 ADVANCED BOOT BLOCK
–BYTE-WIDE
33
PRELIMINARY
TEST POINTS
INPUT
OUTPUT
V
CCQ
0.0
V
CCQ
2
V
CCQ
2
0605-011
NOTE:
AC test inputs are driven at V
for a logic
“1” and 0.0V for a logic “0.” Input timing begins, and output timing ends, at V
CCQ
/2.
Input rise and fall times (10%–90%) <10 ns. Worst case speed conditions are when V
CCQ
=2.7V.
Figure 10. 2.7V
–3.6V Input Range and Measurement Points
C
L
Out
V
CCQ
Device
under
Test
R
1
R
2
0605-012
NOTE:
See table for component values.
Figure 11. Test Configuration
Test Configuration Component Values
for Worst Case Speed Conditions
Test Configuration
C
L
(pF)
R
1
(
) R
2
(
)
2.7V Standard Test
50
25K
25K
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| TE28F008B3T150 | SMART 3 ADVANCED BOOT BLOCK BYTE-WIDE |
| TE28F016B3B150 | SMART 3 ADVANCED BOOT BLOCK BYTE-WIDE |
| TE28F016B3T120 | SMART 3 ADVANCED BOOT BLOCK BYTE-WIDE |
| TE28F016B3T150 | SMART 3 ADVANCED BOOT BLOCK BYTE-WIDE |
| TEA0652 | MONOLITHISCHE STEREO IS |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| TE28F008B3T150 | 制造商:INTEL 制造商全称:Intel Corporation 功能描述:SMART 3 ADVANCED BOOT BLOCK BYTE-WIDE |
| TE28F008B3T90 | 制造商:INTEL 制造商全称:Intel Corporation 功能描述:SMART 3 ADVANCED BOOT BLOCK 4-, 8-, 16-, 32-MBIT FLASH MEMORY FAMILY |
| TE28F008B3TA110 | 制造商:INTEL 制造商全称:Intel Corporation 功能描述:SMART 3 ADVANCED BOOT BLOCK 4-, 8-, 16-, 32-MBIT FLASH MEMORY FAMILY |
| TE28F008B3TA90 | 制造商:INTEL 制造商全称:Intel Corporation 功能描述:3 Volt Advanced Boot Block Flash Memory |
| TE28F008BEB120 | 制造商:INTEL 制造商全称:Intel Corporation 功能描述:8-MBIT (512K X 16, 1024K X 8) SmartVoltage BOOT BLOCK FLASH MEMORY FAMILY |
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