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参数资料
| 型号： | TE28F008B3T150 |
| 厂商： | INTEL CORP |
| 元件分类： | DRAM |
| 英文描述： | SMART 3 ADVANCED BOOT BLOCK BYTE-WIDE |
| 中文描述： | 1M X 8 FLASH 3V PROM, 150 ns, PDSO40 |
| 封装： | 10 X 20 MM, TSOP-40 |
| 文件页数： | 35/49页 |
| 文件大小： | 408K |
| 代理商： | TE28F008B3T150 |
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E
SMART 3 ADVANCED BOOT BLOCK
–BYTE-WIDE
35
PRELIMINARY
Table 13. DC Characteristics: V
CCQ
= 1.8V
–2.2V
Sym
Parameter
Notes
V
CC1
:
2.7V–2.85V
V
CC2
:
2.7V–3.3V
Unit
Test Conditions
Typ
Max
I
LI
Input Load Current
1
± 1.0
μA
V
CC
= V
CC
Max
V
CCQ
= V
CCQ
Max
V
IN
= V
CCQ
or GND
V
CC
= V
CC
Max
V
CCQ
=
V
CCQ
Max
V
IN
= V
CCQ
or GND
I
LO
Output Leakage Current
1
± 10
μA
I
CCS
V
CC
Standby Current
1,7
20
50
μA
CMOS INPUTS
V
CC
= V
CC1
Max (2.7V–2.85V)
V
CCQ
= V
CCQ
Max
CE# = RP# = V
CCQ
150
250
μ
A
CMOS INPUTS
V
CC
= V
CC2
Max (2.7V–3.3V)
V
CCQ
= V
CCQ
Max
CE# = RP# = V
CCQ
CMOS INPUTS
V
CC
= V
CC
Max (V
CC1
or V
CC2
)
V
CCQ
= V
CCQ
Max
V
IN
= V
CCQ
or GND
RP# = GND ± 0.2V
CMOS INPUTS
V
CC
= V
CC1
Max (2.7V–2.85V)
V
CCQ
= V
CCQ
Max
OE# = V
IH
, CE# = V
IL
f = 5 MHz, I
OUT
= 0 mA
Inputs = V
IL
or V
IH
CMOS INPUTS
V
CC
= V
CC2
Max (2.7V–3.3V)
V
CCQ
= V
CCQ
Max
OE# = V
IH
, CE# = V
IL
f = 5 MHz, I
OUT
= 0 mA
Inputs = GND ± 0.2V or V
CCQ
I
CCD
V
CC
Deep Power-Down
Current
1,7
1
10
μA
I
CCR
V
CC
Read Current
1,5,7
8
18
mA
12
23
mA
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