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参数资料
| 型号： | TE28F008B3T150 |
| 厂商： | INTEL CORP |
| 元件分类： | DRAM |
| 英文描述： | SMART 3 ADVANCED BOOT BLOCK BYTE-WIDE |
| 中文描述： | 1M X 8 FLASH 3V PROM, 150 ns, PDSO40 |
| 封装： | 10 X 20 MM, TSOP-40 |
| 文件页数： | 45/49页 |
| 文件大小： | 408K |
| 代理商： | TE28F008B3T150 |
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E
SMART 3 ADVANCED BOOT BLOCK
–BYTE-WIDE
45
PRELIMINARY
APPENDIX A
ORDERING INFORMATION
T E 2 8 F 1 6 0 B 3 T 1 2 0
Package
TE = 40-Lead TSOP
GT = 48-Ball μBGA* CSP
Product line designator
for all Intel Flash products
Access Speed (ns)
(120, 150)
Product Family
B3 = Smart 3 Advanced Boot Block
V
CC
= 2.7V - 3.6V
V
PP
= 2.7V - 3.6V or 11.4V - 12.6V
Device Density
016 = x8 (16-Mbit)
008 = x8 (8-Mbit)
T =
Top Blocking
B =
Bottom Blocking
VALID COMBINATIONS
40-Lead TSOP
TE28F016B3T120
TE28F016B3B120
48-Ball
μ
BGA* CSP
GT28F016B3T120
GT28F016B3B120
Extended
16M
TE28F016B3T150
TE28F016B3B150
GT28F016B3T150
GT28F016B3B150
Extended
8M
TE28F008B3T120
TE28F008B3B120
GT28F008B3T120
GT28F008B3B120
TE28F008B3T150
TE28F008B3B150
GT28F008B3T150
GT28F008B3B150
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| TE28F016B3B150 | SMART 3 ADVANCED BOOT BLOCK BYTE-WIDE |
| TE28F016B3T120 | SMART 3 ADVANCED BOOT BLOCK BYTE-WIDE |
| TE28F016B3T150 | SMART 3 ADVANCED BOOT BLOCK BYTE-WIDE |
| TEA0652 | MONOLITHISCHE STEREO IS |
| TEA0654 | MONOLITHISCHE STEREO IS |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| TE28F008B3T90 | 制造商:INTEL 制造商全称:Intel Corporation 功能描述:SMART 3 ADVANCED BOOT BLOCK 4-, 8-, 16-, 32-MBIT FLASH MEMORY FAMILY |
| TE28F008B3TA110 | 制造商:INTEL 制造商全称:Intel Corporation 功能描述:SMART 3 ADVANCED BOOT BLOCK 4-, 8-, 16-, 32-MBIT FLASH MEMORY FAMILY |
| TE28F008B3TA90 | 制造商:INTEL 制造商全称:Intel Corporation 功能描述:3 Volt Advanced Boot Block Flash Memory |
| TE28F008BEB120 | 制造商:INTEL 制造商全称:Intel Corporation 功能描述:8-MBIT (512K X 16, 1024K X 8) SmartVoltage BOOT BLOCK FLASH MEMORY FAMILY |
| TE28F008BET120 | 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述:- Bulk 制造商:Intel 功能描述: |
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